[發(fā)明專利]一種改善多晶硅酸制絨后硅片表面晶格發(fā)亮的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410779551.2
• 申請(qǐng)日: 2014-12-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105762223A
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-07-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李祥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江鴻禧能源股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及多晶硅太陽(yáng)能電池片的制備領(lǐng)域，具體地涉及一種改善多晶硅酸制絨后硅片表面晶格發(fā)亮的方法。

背景技術(shù)

在多晶硅太陽(yáng)能電池片制備過(guò)程中，由于多晶硅片表面存在多種晶向，相鄰的兩種晶向交界處形成晶格缺陷，制絨藥液反應(yīng)時(shí)在該位置反應(yīng)相對(duì)劇烈，制絨后肉眼觀察存在可見(jiàn)的晶塊明暗相間比較明顯，即出現(xiàn)晶格發(fā)亮，導(dǎo)致外觀異常。同時(shí)由于反應(yīng)劇烈形成大的絨面形貌，導(dǎo)致鍍膜后片子發(fā)白異常。通常情況下，制絨過(guò)程中影響晶格發(fā)亮的主要因素有：酸性藥液中HNO₃濃度過(guò)高或溫度過(guò)高、堿槽中堿液濃度過(guò)高或溫度過(guò)高、硅片表面的晶格缺陷數(shù)量較多，上述三種因素也存在疊加效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種改善多晶硅酸制絨后硅片表面晶格發(fā)亮的方法，達(dá)到解決晶格發(fā)亮導(dǎo)致的外觀異常的目的。

本發(fā)明采用的技術(shù)解決方案是：一種改善多晶硅酸制絨后硅片表面晶格發(fā)亮的方法，即首先在多晶硅制絨工藝的堿槽中加入適量BDG（二乙二醇單丁醚），減緩硅片與堿溶液反應(yīng)，所述的適量BDG的體積濃度為1±0.5%；然后將硅片依次經(jīng)過(guò)自動(dòng)上料、制絨槽、漂洗槽、堿洗槽、漂洗槽、酸洗槽、漂洗槽、風(fēng)干工序。

本發(fā)明的有益效果是有效改善硅片表面晶格發(fā)亮的異常現(xiàn)象，降低外觀異常比例。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明提供的技術(shù)解決方案作進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明。

在本具體實(shí)施方式中，采用同一批次的156cm*156cm的多晶硅片為原材料進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，具體采用的實(shí)驗(yàn)方案如下所述：

實(shí)驗(yàn)方案1：采用傳統(tǒng)的酸制絨工藝，將原始多晶硅片依次經(jīng)過(guò)自動(dòng)上料、制絨槽、漂洗槽、堿洗槽、漂洗槽、酸洗槽、漂洗槽、風(fēng)干工藝，觀察經(jīng)過(guò)制絨后的多晶硅片的外觀。

實(shí)驗(yàn)方案2：首先在多晶制絨設(shè)備的堿槽中加入體積濃度為1%的BDG溶液，然后將上述硅片依次經(jīng)過(guò)自動(dòng)上料、制絨槽、漂洗槽、堿洗槽、漂洗槽、酸洗槽、漂洗槽、風(fēng)干工藝，觀察經(jīng)過(guò)制絨后的多晶硅片的外觀。

經(jīng)兩組實(shí)驗(yàn)方案的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果得出，采用本發(fā)明提供的技術(shù)方案進(jìn)行制絨后的硅片，與原實(shí)驗(yàn)方案相比，外觀異常比例降低0.5%。