[發明專利]TFT及其制作方法、陣列基板及其制作方法、X射線探測器

有效

• 申請號: 201310420395.6
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN103474474A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 高會朝;田宗民;李鵬
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及光電技術領域，尤其涉及一種TFT及其制作方法、陣列基板及其制作方法、X射線探測器。

背景技術

X射線檢測裝置在測量醫學、電子工業、宇航工業及其它領域均有廣泛應用。X射線檢測裝置通過將X射線轉化為可見光，光電二極管接收光并通過光伏效應將光信號轉換為電信號，電信號通過薄膜晶體管的開關控制輸入到X射線檢測裝置的控制電路中，從而實現檢測功能。

例如就常見的X射線探測器而言，這是一種以非晶硅光電二極管陣列為核心的X射線探測器，包括陣列基板，該陣列基板中包括薄膜晶體管（TFT，Thin?Flim?Transistor）和光電二極管，在X射線的照射下，探測器的閃爍體層或熒光體層將X射線光子轉換為可見光，然后在光電二極管的作用下將可見光轉換為電信號，薄膜晶體管讀取電信號并將電信號輸出得到顯示圖像，其中，薄膜晶體管的關閉和導通可以分別控制電信號的儲存和讀取，因此薄膜晶體管的性能在該裝置中尤為重要。

一般來說，薄膜晶體管的結構主要包括基板、柵極、源極、漏極、半導體層和柵絕緣層，其中，依次形成柵極、柵絕緣層、半導體層的圖形，源極、漏極同時形成在半導體層上。為了避免定位不準導致源極和漏極與半導體層的連接不良，通常采取源極和漏極與半導體層進行搭接的方式。這導致源極、漏極與半導體層需要采用兩次構圖工藝制作，增加了構圖工藝的數量；并且，在源極和漏極的連線方向上半導體層具有同樣寬度時，柵極和源極、漏極之間正對面積比現有技術的大，導致柵極和源極、漏極之間的耦合電容比較大，從而影響薄膜晶體管的性能。

發明內容

本發明的實施例提供了一種TFT及其制作方法、陣列基板及其制作方法、X射線探測器，可以減少構圖工藝的數量。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

第一方面，本發明實施例提供了一種薄膜晶體管，包括柵極、源極、漏極、半導體層和柵絕緣層，其特征在于，所述源極和所述漏極位于所述半導體層的兩側，且所述源極和所述漏極與所述半導體層位于同一層。

進一步地，在所述源極和所述漏極連線的方向上，所述半導體層與所述柵極的寬度一致。

進一步地，柵極位于半導體層的下方。

進一步地，柵極位于半導體層的上方。

第二方面，本發明實施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括：

依次形成柵絕緣層薄膜、半導體層薄膜、鈍化遮擋層薄膜；

通過一次構圖工藝形成包括鈍化遮擋層的圖形，使所述半導體層薄膜中被所述鈍化遮擋層遮擋的部分形成半導體層的圖形；

通過離子摻雜工藝使所述半導體層薄膜中未被所述鈍化遮擋層遮擋的部分形成包括源極和漏極的圖形，所述源極和漏極位于所述半導體層的兩側。

其中，所述通過構圖工藝形成包括鈍化遮擋層的圖形，使所述半導體層薄膜中被所述鈍化遮擋層遮擋的部分形成半導體層的圖形具體為：

在所述鈍化遮擋層薄膜上涂覆光刻膠；

通過曝光工藝形成包括完全未曝光區域、部分曝光區域和完全曝光區域的光刻膠圖形；通過顯影工藝去除完全曝光區域的光刻膠且保留完全未曝光區域和部分曝光區域的光刻膠；

通過刻蝕工藝去除所述完全曝光區域的鈍化遮擋層薄膜、半導體層薄膜；

通過灰化工藝去除所述部分曝光區域的光刻膠，露出該區域內的鈍化遮擋層薄膜；

通過刻蝕工藝去除所述部分曝光區域露出的鈍化遮擋層薄膜，保留且露出該區域內的半導體層薄膜；

通過剝離工藝去除所述完全未曝光區域內的光刻膠，露出的鈍化遮擋層薄膜形成所述鈍化遮擋層。

進一步地，在所述源極和所述漏極連線的方向上，所述半導體層與所述柵極的寬度一致。

進一步地，還包括：在基板上形成柵極金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括柵極的圖形，在形成柵極的基板上形成柵極絕緣層薄膜。

進一步地，還包括：在制作有鈍化遮擋層的基板上形成柵極絕緣層薄膜、柵極金屬薄膜，通過構圖工藝形成包括柵極的圖形。

第三方面，本發明實施例還提供了一種陣列基板，包括：基板、薄膜晶體管、鈍化層、第一像素電極，薄膜晶體管中的源極和漏極位于半導體層的兩側，且源極和漏極與半導體層位于同一層，第一像素電極與漏極電連接。

進一步地，在源極和漏極連線的方向上，半導體層與柵極的寬度一致。

進一步地，柵極位于半導體層的下方。

進一步地，柵極位于半導體層的上方。