[發(fā)明專利]TFT及其制作方法、陣列基板及其制作方法、X射線探測器

有效

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• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN103474474A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設計）人: 高會朝;田宗民;李鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/08;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種薄膜晶體管，包括柵極、源極、漏極、半導體層和柵絕緣層，其特征在于，所述源極和所述漏極位于所述半導體層的兩側(cè)，且所述源極和所述漏極與所述半導體層位于同一層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，在所述源極和所述漏極連線的方向上，所述半導體層與所述柵極的寬度一致。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極位于所述半導體層的下方。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極位于所述半導體層的上方。

5.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

依次形成半導體層薄膜、鈍化遮擋層薄膜；

通過一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化遮擋層的圖形，使所述半導體層薄膜中被所述鈍化遮擋層遮擋的部分形成半導體層圖形；

通過離子摻雜工藝使所述半導體層薄膜中未被所述鈍化遮擋層遮擋的部分形成包括源極和漏極的圖形，所述源極和漏極位于所述半導體層的兩側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝形成包括鈍化遮擋層的圖形，使所述半導體層薄膜中被所述鈍化遮擋層遮擋的部分形成半導體層圖形具體為：

在所述鈍化遮擋層薄膜上涂覆光刻膠；

通過曝光工藝形成包括完全未曝光區(qū)域、部分曝光區(qū)域和完全曝光區(qū)域的光刻膠圖形；通過顯影工藝去除所述完全曝光區(qū)域的所述光刻膠且保留所述完全未曝光區(qū)域和所述部分曝光區(qū)域的所述光刻膠；

通過刻蝕工藝去除所述完全曝光區(qū)域的所述鈍化遮擋層薄膜和所述半導體層薄膜；

通過灰化工藝去除所述部分曝光區(qū)域的所述光刻膠，露出該區(qū)域內(nèi)的所述鈍化遮擋層薄膜；

通過刻蝕工藝去除所述部分曝光區(qū)域露出的所述鈍化遮擋層薄膜，保留且露出該區(qū)域內(nèi)的所述半導體層薄膜；

通過剝離工藝去除所述完全未曝光區(qū)域內(nèi)的所述光刻膠，露出的所述鈍化遮擋層薄膜形成所述鈍化遮擋層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，在所述源極和所述漏極連線的方向上，所述半導體層與柵極的寬度一致。

8.根據(jù)權(quán)利要求5-7中任一項所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，還包括：在基板上形成柵極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖形，在形成所述柵極的基板上形成柵極絕緣層薄膜。

9.根據(jù)權(quán)利要求5-7中任一項所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，還包括：在制作有鈍化遮擋層的基板上形成柵極絕緣層薄膜、柵極金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括柵極的圖形。

10.一種陣列基板，其特征在于，包括：基板、薄膜晶體管、鈍化層、第一像素電極，所述薄膜晶體管中的源極和漏極位于半導體層的兩側(cè)，且所述源極和所述漏極與所述半導體層位于同一層，所述第一像素電極與所述漏極電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，在所述源極和所述漏極連線的方向上，所述半導體層與柵極的寬度一致。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，柵極位于所述半導體層的下方。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，柵極位于所述半導體層的上方。

14.根據(jù)權(quán)利要求10-13中任一項所述的陣列基板，其特征在于，還包括光電二極管和第二像素電極，所述光電管二極管的一端與所述源極電連接，所述光電管二極管的另一端與所述第二像素電極電連接。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板，其特征在于，還包括光線遮擋板，所述光線遮擋板與所述柵極位于同一層，且所述光線遮擋板位于所述光電二極管的正下方。