[發明專利]一種ITO表面微納米結構處理方法無效

申請號：	201310420064.2	申請日：	2013-09-12
公開（公告）號：	CN103474343A	公開（公告）日：	2013-12-25
發明（設計）人：	郁彬	申請（專利權）人：	昆山奧德魯自動化技術有限公司
主分類號：	H01L21/308	分類號：	H01L21/308;H01L33/10;H01L33/22
代理公司：	南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204	代理人：	柏尚春
地址：	江蘇省蘇州市***	國省代碼：	江蘇;32
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	一種 ito 表面納米結構處理方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

技術領域

本發明涉及光電技術領域，尤其是一種ITO表面微納米結構的處理方法。?

背景技術

在能源日益緊缺的今天，LED以其獨有的耗能少，使用壽命高，結構簡單，易于使用等優點，在戶外背光，照明等領域有著越來越廣泛的應用。ITO（銦錫氧化物）作為一種N層半導體，制作工藝簡單，透光性好，方阻低，電流橫向拓展性佳從而被廣泛應用于LED芯片前段工藝，然而由于ITO和空氣之間較大的折射率差值，所以當光線從LED芯片內部出射時，容易在ITO與空氣的分界面形成全反射角，約束了光線的出射，從而影響LED的外量子效率。?

因此，需要一種新的技術方案以解決上述問題。?

發明內容

發明目的：為了解決現有技術所產生的問題，本發明提供了一種簡單易行，工藝簡單的ITO表面微納米結構的處理方法。?

技術方案：為達到上述目的，本發明可采用如下技術方案：一種ITO表面微納米結構的處理方法，包括以下步驟：?

（1）將清洗后的外延片進行ITO蒸鍍；?

（2）將表面鍍有ITO的外延片送至黃光進行勻膠，利用接近式曝光方式，將掩模版表面的微納米結構復制至膠體表面，最后進行顯影；?

（3）將顯影后的成品進行ITO濕法刻蝕，為了更好的將上述圖形刻蝕干凈，在這里采用分步刻蝕的方式進行處理；?

（4）濕法刻蝕完畢后，去除ITO表面的膠體，再將上述產品送至BOE槽體進行濕法刻蝕，其溶液溫度為常溫，時間為25-40s，刻蝕時，需上下震蕩產品。?

更進一步的，所述步驟（3）中分步刻蝕方式為：第一步刻蝕時，ITO刻蝕液溫度為45℃～50℃，刻蝕時間為30～45s，第二部刻蝕時，ITO刻蝕液溫度為室溫，刻蝕時間為30～45s。?

有益效果：本發明公開了一種ITO表面微納米結構的處理方法；首先將清洗后的外延片進行ITO蒸鍍，然后將上述產品送至黃光，進行勻膠，曝光，顯影，從而將掩模版上面的微納米結構復制至ITO表面，接著利用ITO刻蝕液分步刻蝕的方法，對沒有膠體保護的ITO進行濕法刻蝕，最后去膠后，將其進行浸泡于BOE溶液中進行震蕩腐蝕，最終在ITO表面形成多種的微納米結構；本工藝具有操作簡單可行，利用ITO分步刻蝕和BOE溶液在ITO表面腐蝕出微納米結構的粗糙漫反射層，從而增加LED芯片的出光效率。?

具體實施方式

下面結合具體實施方式，進一步闡明本發明，應理解下述具體實施方式僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍，在閱讀了本發明之后，本領域技術人員對本發明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。?

實施例1：?

一種ITO表面微納米結構的處理方法，包括以下步驟：?

（1）將清洗后的外延片進行ITO蒸鍍；?

（2）將表面鍍有ITO的外延片送至黃光進行勻膠，利用接近式曝光方式，將掩模版表面的微納米結構復制至膠體表面，最后進行顯影；?

（3）將顯影后的成品進行ITO濕法刻蝕，為了更好的將上述圖形刻蝕干凈，在這里采用分步刻蝕的方式進行處理；所述分步刻蝕方式為：第一步刻蝕時，ITO刻蝕液溫度為45℃，刻蝕時間為30s，第二部刻蝕時，ITO刻蝕液溫度為室溫，刻蝕時間為30s；?

（4）濕法刻蝕完畢后，去除ITO表面的膠體，再將上述產品送至BOE槽體進行濕法刻蝕，其溶液溫度為常溫，時間為25s，刻蝕時，需上下震蕩產品。?

實施例2：?

一種ITO表面微納米結構的處理方法，包括以下步驟：?

（1）將清洗后的外延片進行ITO蒸鍍；?

（2）將表面鍍有ITO的外延片送至黃光進行勻膠，利用接近式曝光方式，將掩模版表面的微納米結構復制至膠體表面，最后進行顯影；?