[發(fā)明專利]一種ITO表面微納米結(jié)構(gòu)處理方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310420064.2 | 申請日: | 2013-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN103474343A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郁彬 | 申請(專利權(quán))人: | 昆山奧德魯自動化技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/308 | 分類號: | H01L21/308;H01L33/10;H01L33/22 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 ito 表面 納米 結(jié)構(gòu) 處理 方法 | ||
1.一種ITO表面微納米結(jié)構(gòu)處理方法,其特征在于包括以下步驟:
(1)將清洗后的外延片進(jìn)行ITO蒸鍍;
(2)將表面鍍有ITO的外延片送至黃光進(jìn)行勻膠,利用接近式曝光方式,將掩模版表面的微納米結(jié)構(gòu)復(fù)制至膠體表面,最后進(jìn)行顯影;
(3)將顯影后的成品進(jìn)行ITO濕法刻蝕,為了更好的將上述圖形刻蝕干凈,在這里采用分步刻蝕的方式進(jìn)行處理;
(4)濕法刻蝕完畢后,去除ITO表面的膠體,再將上述產(chǎn)品送至BOE槽體進(jìn)行濕法刻蝕,其溶液溫度為常溫,時間為25-40s,刻蝕時,需上下震蕩產(chǎn)品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種ITO表面微納米結(jié)構(gòu)處理方法其特征在于:所述步驟(3)中分步刻蝕方式為:第一步刻蝕時,ITO刻蝕液溫度為45℃~50℃,刻蝕時間為30-45s,第二部刻蝕時,ITO刻蝕液溫度為室溫,刻蝕時間為30-45s。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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