[發明專利]整流橋的制備工藝

在審

• 申請號: 201310419070.6
• 申請日: 2013-09-16
• 公開（公告）號: CN104465410A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發明（設計）人: 董克;陳峰;余洪
• 申請（專利權）人: 瑞安市固特威汽車配件有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/60;B23K1/008
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及整流橋領域，特別地，涉及一種整流橋的制備工藝。

背景技術

傳統的整流橋制備工藝是將安裝片安裝在石墨下模內，在安裝片上噴上酒精和松香形成的助焊劑，利用真空吸盤如篩盤吸附相應規格的焊片，將吸盤的定位柱放入石墨模具的定位孔內，關閉真空，使焊片落到安裝片的相應凸臺上，再重復使用真空吸盤在芯片上方放入相應規格的焊片上，在噴上使用真空吸筆將芯片按要求吸附到焊片上，并噴上助焊劑，校正芯片及焊片位置，使焊片的中心與安裝片的凸臺的中心對齊，將框架輕輕放在吸好芯片的安裝片上，蓋上石墨上模，連同上下模一并再輕輕送入燒結爐進行焊接。采用上述方法焊接，可能會導致恐怖分芯片與焊片錯位，在燒結完成后，會產生較多的焊接不良和電性接觸不良，使成型后的整流橋不符合產品要求。

發明內容

本發明目的在于提供一種整流橋的制備工藝，以解決現有技術中制備出的整流橋焊接不良或電性接觸不良的技術問題。

為實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種整流橋的制備工藝，包括以下步驟：

步驟S1：將安裝片放置在下模具內，將錫膏涂覆在安裝片的凸起上；

步驟S2：將芯片放置在安裝片的凸起上；

步驟S3：在安裝架的凸起上涂抹錫膏，將安裝架吸附在芯片上；

步驟S4：在下模具上蓋合上模具，將整套模具放入焊接爐中進行焊接形成半成品整流橋，焊接爐中溫度控制在400℃至450℃；

步驟S5：取出半成品整流橋，在安裝片與安裝架之間涂抹粘結劑，形成整流橋。

進一步地，步驟S4中的焊接時間為25min至30min。

進一步地，焊接爐內充有保護氣體。

本發明具有以下有益效果：

根據本發明的整流橋的制備工藝，本發明的制備工藝簡單，使用錫膏作為焊接材料，減少由于安裝片、芯片及安裝架安裝位置出現偏移而導致的電性接觸不良的現象；且焊接效果好。

除了上面所描述的目的、特征和優點之外，本發明還有其它的目的、特征和優點。

具體實施方式

以下對本發明的實施例進行詳細說明，但是本發明可以由權利要求限定和覆蓋的多種不同方式實施。

本發明的優選實施例提供了一種整流橋的制備工藝，包括以下步驟：

步驟S1：將安裝片放置在下模具內，將錫膏涂覆在安裝片的凸起上；

步驟S2：將芯片放置在安裝片的凸起上；

由于錫膏具有較大的粘度，因此將錫膏涂覆在安裝片的凸起上可以使得芯片放置在安裝片上時，不會移位。

步驟S3：在安裝架的凸起上涂抹錫膏，將安裝架吸附在芯片上；

同樣地，在安裝架的凸起上涂抹錫膏，將安裝架吸附在芯片上時，由于錫膏的粘度較大，因此安裝架也可以放置在芯片的適當的位置，以減少由于安裝片、芯片及安裝架安裝位置出現偏移，而導致的電性接觸不良的現象。

步驟S4：在下模具上蓋合上模具，將整套模具放入焊接爐中進行焊接形成半成品整流橋，焊接爐中溫度控制在350℃至400℃；

具體地，蓋合上模具后，將整套模具放入焊接爐中進行焊接。焊接時，焊接爐中的溫度一般應控制在350℃至400℃。當溫度低于350℃時，錫膏不能完全熔化，從而導致焊接不良；當溫度高于400℃時，可能會損壞芯片的功能，同時錫膏的焊接效果會下降。一般地，焊接時間為25min至30min。焊接爐內充有保護氣體，如氮氣，以提高焊接效果。

步驟S5：取出半成品整流橋，在安裝片與安裝架之間涂抹防水層，形成整流橋。

在安裝片與安裝架之間涂抹防水層是為了防止安裝片與安裝架之間有水流滲入，導致芯片失效或發生觸電事件。

以上僅為本發明的優選實施例而已，并不用于限制本發明，對于本領域的技術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。