[發明專利]整流橋的制備工藝在審
| 申請號: | 201310419070.6 | 申請日: | 2013-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN104465410A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | 董克;陳峰;余洪 | 申請(專利權)人: | 瑞安市固特威汽車配件有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/60;B23K1/008 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 325200 *** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 整流 制備 工藝 | ||
1.一種整流橋的制備工藝,其特征在于,包括以下步驟:
步驟S1:將安裝片放置在下模具內,將錫膏涂覆在安裝片的凸起上;
步驟S2:將芯片放置在所述安裝片的凸起上;
步驟S3:在安裝架的凸起上涂抹錫膏,將安裝架吸附在所述芯片上;
步驟S4:在下模具上蓋合上模具,將整套模具放入焊接爐中進行焊接形成半成品整流橋,所述焊接爐中溫度控制在400℃至450℃;
步驟S5:取出所述半成品整流橋,在所述安裝片與所述安裝架之間涂抹粘結劑,形成整流橋。
2.根據權利要求1所述的整流橋的制備工藝,其特征在于,所述步驟S4中的焊接時間為25min至30min。
3.根據權利要求2所述的整流橋的制備工藝,其特征在于,所述焊接爐內充有保護氣體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





