[發明專利]與半導體處理設備相關的方法和系統在審
| 申請號: | 201310416017.0 | 申請日: | 2013-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN103681419A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 本杰明·W·莫瑞 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 處理 設備 相關 方法 系統 | ||
1.一種系統,其包括:
前端機械手,其被配置為從至少一個晶片載具拿取單個的晶片;
線性機械手,其與所述前端機械手有業務關系,所述線性機械手被配置為沿延伸的長度路徑移動晶片,所述延伸的長度路徑和所述線性機械手定義進行所述線性機械手和其他機械手之間的晶片交換的第一位置、第二位置和第三位置;
第一處理集群,其與所述線性機械手在所述第一位置處有業務關系,所述第一處理集群包括:
第一處理室;
第二處理室;和
第一集群機械手,其設置在所述第一處理室和所述第二處理室之間;
其中,所述第一集群機械手被配置成將晶片從所述線性機械手傳送至所述處理室,并被配置成將晶片從所述處理室傳送至所述線性機械手。
2.根據權利要求1所述的系統,其還包括:
第二處理集群,其與所述線性機械手在所述第二位置處有業務關系,所述第二處理集群包括:
第三處理室;
第四處理室;和
第二集群機械手,其設置在所述第三處理室和所述第四處理室之間;
其中,所述第二集群機械手被配置成將晶片從所述線性機械手傳送至所述第三處理室和所述第四處理室,并且所述第二集群機械手被配置成將晶片從所述第三處理室和所述第四處理室傳送至所述線性機械手。
3.根據權利要求2所述的系統,其還包括:
第三處理集群,其與所述線性機械手在所述第三位置處有業務關系,所述第三處理集群包括:
第五處理室;
第六處理室;和
第三集群機械手,其設置在所述第五處理室和所述第六處理室之間;
其中,所述第三集群機械手被配置成將晶片從所述線性機械手傳送至所述第五處理室和所述第六處理室,并且所述第三集群機械手被配置成將晶片從所述第五處理室和所述第六處理室傳送至所述線性機械手。
4.根據權利要求1所述的系統,其中所述第一處理集群還包括:
緩沖區域,其與所述第一集群機械手有業務關系;
所述第一集群機械手進一步被配置為執行選自下述操作中的至少一個:將晶片從所述線性機械手傳送至所述緩沖區域;將晶片從所述緩沖區域傳送至所述線性機械手;將晶片從所述緩沖區域傳送至所述第一處理室;將晶片從所述第一處理室傳送至所述緩沖區域;將晶片從所述緩沖區域傳送至所述第二處理室;以及將晶片從所述第二處理室傳送至所述緩沖區域。
5.根據權利要求4所述的系統,其中,所述緩沖區域還包括被配置為存儲至少兩個晶片的機架構件。
6.根據權利要求1所述的系統,其還包括:
具有內部容積的傳送室,所述內部容積定義所述延伸的長度路徑,并且所述傳送室被設計為在所述內部容積的壓強低于大氣壓的條件下操作;
所述線性機械手的至少一部分駐留在所述傳送室內;
第一門,其與定義在所述傳送室內的第一孔有業務關系,所述第一門和所述第一孔定義所述第一位置;
第二門,其與定義在所述傳送室內的第二孔有業務關系,所述第二門和所述第二孔定義所述第二位置;以及
第三門,其與定義在所述傳送室內的第三孔有業務關系,所述第三門和所述第三孔定義所述第三位置。
7.根據權利要求6所述的系統,其中,所述傳送室還包括:
第一側壁;
平行于所述第一側壁的第二側壁;
與所述第一側壁和所述第二側壁都垂直的端壁;
其中,所述第一門和所述第一孔定義在所述第一側壁中;
其中,所述第二門和所述第二孔定義在所述第二側壁中;以及
其中,所述第三門和所述第三孔定義在所述端壁中。
8.根據權利要求6所述的系統,其中,所述傳送室還包括:
第一側壁;
平行于所述第一側壁的第二側壁;
與所述第一側壁和所述第二側壁都垂直的端壁;
其中,所述第一門和所述第一孔定義在所述第一側壁中,與所述端壁間隔第一距離;
其中,所述第二門和所述第二孔定義在所述第一側壁中,與所述端壁間隔第二距離;以及
其中,所述第三門和所述第三孔定義在所述第二側壁中。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





