[發明專利]與半導體處理設備相關的方法和系統在審
| 申請號: | 201310416017.0 | 申請日: | 2013-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN103681419A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 本杰明·W·莫瑞 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/67;H01L21/00 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 處理 設備 相關 方法 系統 | ||
技術領域
本發明總體上涉及半導體制造領域,具體涉及與半導體處理設備相關的方法和系統。
背景技術
隨著半導體器件的關鍵尺寸不斷變小,用于創建半導體器件的處理步驟的數量已經增加,同樣,處理時間也已經增加。此外,客戶對于執行與晶片的主處理(例如,蝕刻、化學氣相沉積)有關的晶片的預處理和后處理的能力的要求越來越高,這進一步增加了配置的數量,而配置是處理工具必須簡化的。
為了保持制造設施的產能,可能需要更多的處理室。為了滿足預處理和后處理的要求,對于給定的工具,可能需要變化更廣泛的室的類型。然而,設計并制造合格的具有額外的處理室的新的半導體處理設備是漫長而復雜的工作。
發明內容
為了解決上述問題,在本發明的一種實施方式中,提供了一種系統,其包括:前端機械手,其被配置為從至少一個晶片載具拿取單個的晶片;線性機械手,其與所述前端機械手有業務關系(operational?relationship),所述線性機械手被配置為沿延伸的長度路徑移動晶片,所述延伸的長度路徑和所述線性機械手定義進行所述線性機械手和其他機械手之間的晶片交換的第一位置、第二位置和第三位置;第一處理集群(processing?cluster),其與所述線性機械手在所述第一位置處有業務關系,所述第一處理集群包括:第一處理室;第二處理室;和第一集群機械手,其設置在所述第一處理室和所述第二處理室之間;其中,所述第一集群機械手被配置成將晶片從所述線性機械手傳送至所述處理室,并被配置成將晶片從所述處理室傳送至所述線性機械手。優選地,所述系統還包括:第二處理集群,其與所述線性機械手在所述第二位置處有業務關系,所述第二處理集群包括:第三處理室;第四處理室;和第二集群機械手,其設置在所述第三處理室和所述第四處理室之間;其中,所述第二集群機械手被配置成將晶片從所述線性機械手傳送至所述第三處理室和所述第四處理室,并且所述第二集群機械手被配置成將晶片從所述第三處理室和所述第四處理室傳送至所述線性機械手。
在本發明的另一種實施方式中,提供了一種方法,該方法包括:安裝半導體處理設備,所述半導體處理設備包括第一處理集群,所述第一處理集群包括至少兩個處理室和設置在所述至少兩個處理室之間的第一集群機械手,所述第一處理集群能操作地耦合到線性機械手;通過所述線性機械手傳送晶片到所述第一處理集群;并且接著設置第二處理集群為與所述半導體處理設備有業務關系,所述第二處理集群包括至少兩個處理室和設置在所述第二處理集群的所述至少兩個處理室之間的第二集群機械手,所述第二處理集群能操作地耦合到所述線性機械手;并且接著通過所述線性機械手傳送晶片到所述第一處理集群以及所述第二處理集群。優選地,其中傳送晶片到所述第一處理集群和所述第二處理集群進一步包括:通過所述線性機械手移動晶片至接近所述第一集群機械手;通過所述第一集群機械手從所述線性機械手移走所述晶片,并將所述晶片放置在所述第一處理集群中的選定的處理室內;通過所述第一集群機械手從所述選定的處理室中移走所述晶片,并將所述晶片放置到所述線性機械手上;并且接著通過所述線性機械手移動所述晶片到接近所述第二處理集群;并且通過所述第二集群機械手將所述晶片從所述線性機械手移走,并將所述晶片放置在所述第二處理集群中的選定的處理室內。
附圖說明
為了詳細描述本發明的示例性實施方式,現在參考附圖,附圖中:
圖1示出了根據至少一些實施方式所述的半導體處理設備的立體圖;
圖2示出了根據至少一些實施方式所述的半導體處理設備的俯視圖;
圖3示出了根據至少一些實施方式所述的半導體處理設備的俯視圖;
圖4示出了根據至少一些實施方式所述的半導體處理設備的俯視圖;
圖5示出了根據至少一些實施方式所述的線性傳送機械手及相關設備的立體局部剖視圖;
圖6示出了根據至少一些實施方式所述的線性傳送機械手(基本上是沿圖5中6-6線截取的)的正視圖;
圖7示出了根據至少一些實施方式所述的處理集群的立體局部剖視圖;
圖8示出了根據至少一些實施方式所述的處理集群的立體圖;
圖9示出了根據至少一些實施方式所述的處理集群的立體局部剖視圖;
圖10示出了根據至少一些實施方式的方法。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





