[發(fā)明專利]一種新型光刻對準(zhǔn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310413296.5
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN104460246B
• 公開（公告）日: 2019-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李志丹;李喆;張俊
• 申請（專利權(quán)）人: 上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

本發(fā)明提出一種光刻對準(zhǔn)方法，其特征在于：使用同軸對準(zhǔn)光源將制作在掩模版上的對準(zhǔn)標(biāo)記曝光在基底周圍的非成品芯片區(qū)域，且后續(xù)曝光場分布避開該對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域，且后續(xù)曝光過程中通過識別所述對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)。本發(fā)明可以有效實(shí)現(xiàn)接近接觸式光刻機(jī)與投影光刻機(jī)的混用問題，節(jié)省生產(chǎn)成本，減少成品芯片的浪費(fèi)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造裝備技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種用于光刻設(shè)備的新型光刻對準(zhǔn)方法。

背景技術(shù)

在光刻過程中，對準(zhǔn)標(biāo)記的制作以及對準(zhǔn)方式對曝光結(jié)果起著至關(guān)重要的作用。目前，接近接觸式光刻機(jī)Aligner可以在曝光過程中將對準(zhǔn)標(biāo)記制作在基底的兩側(cè)，則在該區(qū)域就不能制作產(chǎn)品，最終浪費(fèi)掉部分芯片。而投影式光刻機(jī)Stepper在曝光過程中，制作的對準(zhǔn)標(biāo)記在每個曝光場中都存在，標(biāo)記存在區(qū)域同樣不再制作產(chǎn)品，最終浪費(fèi)掉部分芯片。在實(shí)際生產(chǎn)中，若接近接觸式光刻機(jī)和投影式光刻機(jī)混用，基底上用于制作對準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域?qū)⒏訌?fù)雜，可能會浪費(fèi)更多的芯片。

在實(shí)際生產(chǎn)過程當(dāng)中，由于邊緣處理等原因，基底周圍一圈不考慮制備完整的芯片。所以，本發(fā)明利用基底周圍的非成品芯片區(qū)域制作對準(zhǔn)標(biāo)記，以此減少生產(chǎn)過程中對芯片的浪費(fèi)，并可以實(shí)現(xiàn)接近接觸式光刻機(jī)與投影式光刻機(jī)的混用。

在投影式光刻機(jī)中的對準(zhǔn)采用同軸對準(zhǔn)和離軸對準(zhǔn)兩種方式，其中同軸對準(zhǔn)用于掩模與對準(zhǔn)基準(zhǔn)板對準(zhǔn)，離軸對準(zhǔn)用于基底與對準(zhǔn)基準(zhǔn)板對準(zhǔn)，最終實(shí)現(xiàn)掩膜版和基底的對準(zhǔn)。其中可以將同軸對準(zhǔn)光源的波長設(shè)定為曝光波長，然后將對準(zhǔn)標(biāo)記刻到基底上。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于解決接近接觸式光刻機(jī)與投影式光刻機(jī)的混用問題，節(jié)省生產(chǎn)成本，解決對準(zhǔn)標(biāo)記制作導(dǎo)致的芯片浪費(fèi)問題。

本發(fā)明提出一種光刻對準(zhǔn)方法，其特征在于：使用同軸對準(zhǔn)光源將制作在掩模版上的對準(zhǔn)標(biāo)記曝光在基底周圍的非成品芯片區(qū)域，且后續(xù)曝光場分布避開該對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域，且后續(xù)曝光過程中通過識別所述對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)。

優(yōu)選地，所述同軸對準(zhǔn)光源與曝光光源波段一致。

優(yōu)選地，所述對準(zhǔn)標(biāo)記制作在所述掩模版的非圖形區(qū)域。

優(yōu)選地，所述同軸對準(zhǔn)光源將對準(zhǔn)標(biāo)記曝光在基底原始對準(zhǔn)標(biāo)記的區(qū)域內(nèi)，對準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸小于原始對準(zhǔn)標(biāo)記。

本發(fā)明可以有效實(shí)現(xiàn)接近接觸式光刻機(jī)與投影光刻機(jī)的混用問題，節(jié)省生產(chǎn)成本，減少成品芯片的浪費(fèi)。

附圖說明

關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。

圖1為光刻機(jī)制作對準(zhǔn)標(biāo)記示意圖；

圖2為本發(fā)明光刻掩模版示意圖；

圖3為本發(fā)明制作對準(zhǔn)標(biāo)記后的基底；

圖4為本發(fā)明曝光場分布圖；

圖5為LED芯片結(jié)構(gòu)圖；

圖6為LED光刻工藝流程圖；

圖7為經(jīng)過MESA光刻后的對準(zhǔn)標(biāo)記；

圖8為Stepper制作的對準(zhǔn)標(biāo)記。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實(shí)施例。

光刻機(jī)制作對準(zhǔn)標(biāo)記如圖1所示，光刻系統(tǒng)通過投影物鏡，將掩模版上的對準(zhǔn)標(biāo)記成像在工件臺上的基底上。本發(fā)明的掩模版如圖2所示，十字對準(zhǔn)標(biāo)記位于掩模版上非圖形區(qū)域。在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，經(jīng)過光刻系統(tǒng)投影曝光后，基底上的對準(zhǔn)標(biāo)記如圖3所示，對準(zhǔn)標(biāo)記位于基底上非成品芯片區(qū)域。在后續(xù)的曝光過程中，曝光場的分布如圖4所示，曝光場區(qū)域避開對準(zhǔn)標(biāo)記區(qū)域。