[發明專利]一種新型光刻對準方法有效
| 申請號： | 201310413296.5 | 申請日： | 2013-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN104460246B | 公開（公告）日： | 2019-07-23 |
| 發明（設計）人： | 李志丹;李喆;張俊 | 申請（專利權）人： | 上海微電子裝備（集團）股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F9/00 | 分類號： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 光刻 對準 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種光刻對準方法，其特征在于，用于LED芯片制作工藝，包括：
MESA光刻工藝中使用接近接觸式光刻機，將十字標記曝光在基底兩側；
ITO光刻工藝中使用接近接觸式光刻機，參照所述十字標記進行對準，使用的ITO光刻掩模版的對準標記區不透光；
PAD光刻工藝中使用步進光刻機，參照所述十字標記進行對準，并使用同軸對準光源將制作在PAD光刻掩模版上的對準標記曝光在所述基底周圍的非成品芯片區域形成對準標記區域；對所述基底執行PAD光刻，且PAD光刻的曝光場分布避開所述對準標記區域；
SiO2光刻工藝使用步進光刻機，曝光過程中通過識別所述對準標記區域進行對準。
2.如權利要求1所述的光刻對準方法，其特征在于：所述同軸對準光源與曝光光源波段一致。
3.如權利要求1所述的光刻對準方法，其特征在于：所述對準標記制作在所述掩模版的非圖形區域。
4.如權利要求1所述的光刻對準方法，其特征在于：所述同軸對準光源將對準標記曝光在基底原始對準標記的區域內，對準標記的尺寸小于原始對準標記。
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