[發明專利]嵌入式封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201310412949.8
• 申請日: 2013-09-11
• 公開（公告）號: CN104253114A
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發明（設計）人: 李嘉炎;蔡欣昌;李芃昕
• 申請（專利權）人: 臺達電子工業股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;呂俊清

技術領域

本發明涉及一種封裝結構及其制造方法，特別涉及一種嵌入式封裝結構及其制造方法。

背景技術

圖1繪示一種傳統嵌入式封裝結構100的剖面圖，其單一芯片的嵌入式結構，且包含芯片110、金屬層120、一絕緣材料層130及二保護層140。

如圖1所示，芯片110、金屬層120及絕緣材料層130夾置于保護層140之間。芯片110分別設置于絕緣材料層130內，且通過金屬層120電性連接于其它芯片110。

由于大量的金屬布線層連接于諸芯片之間，而在嵌入式封裝結構中產生寄生效應，對于諸芯片造成損害。此外，因為存在大量的金屬布線層，使得在單一芯片的嵌入式封裝結構中的信號傳遞距離太長，以至于劣化信號的強度及質量。另一方面，其中具有眾多芯片的傳統嵌入式封裝結構往往有較大的尺寸，而不利于微型裝置的設計。

因此，目前亟需一種新穎的嵌入式封裝結構及其制造方法，以解決傳統嵌入式封裝結構所產生的問題。

發明內容

本發明提供一種嵌入式封裝結構及其制造方法，以解決現有技術的上述問題。

本發明的一形式為提供一種嵌入式封裝結構。此嵌入式封裝結構包含一金屬基板、一芯片模塊、一絕緣材料層及至少一圖案化金屬層。

金屬基板具有一第一表面及一第二表面。

芯片模塊位于金屬基板的第一表面上，且包含至少二芯片，其中諸芯片彼此電性連接。

絕緣材料層覆蓋于金屬基板的第一表面及諸芯片上，且具有一內連線結構形成于其中。

圖案化金屬層設置于絕緣材料層上，且通過內連線結構電性連接于芯片模塊。

根據本發明的一實施例，上述金屬基板的材料為銅或銅合金。

根據本發明的一實施例，上述嵌入式封裝結構更包含另一芯片模塊位于金屬基板的第一表面。

根據本發明的一實施例，至少一上述芯片系為垂直型或橫向型。

根據本發明的一實施例，上述嵌入式封裝結構更包含一黏著劑或一焊錫設置于諸芯片的間。

根據本發明的一實施例，上述芯片系通過一導電層彼此電性連接。

根據本發明的一實施例，上述絕緣材料層的材料包含ABF絕緣膜(Ajinomoto?build-up?film)、雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂(BT)、聚酰亞胺(PI)或玻璃環氧樹脂(glass-epoxy?resin)。

根據本發明的一實施例，上述圖案化金屬層的材料選自由下列所組成的群組：銅(Cu)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鋁(Al)、鎳(Ni)、鎢(W)、金(Au)、鋅(Zn)、錫(Sn)、鍺(Ge)及其組合。

根據本發明的一實施例，上述嵌入式封裝結構更包含一第一保護層，其覆蓋圖案化金屬層。

根據本發明的一實施例，上述嵌入式封裝結構更包含一第二保護層，其覆蓋金屬基板的第二表面。

本發明的另一形式為提供一種制造嵌入式封裝結構的方法。此方法包含提供一金屬基板，其具有一第一表面及一第二表面；形成一芯片模塊，其位于金屬基板的第一表面上，其中芯片模塊包含彼此電性連接的至少二芯片；形成一絕緣材料層，其包覆金屬基板及諸芯片；形成多個導電通孔(via)，其穿透絕緣材料層；以及形成一圖案化金屬層于絕緣金屬層上，其中諸導電通孔電性連接于芯片模塊及圖案化金屬層。

根據本發明的一實施例，上述金屬基板的材料為銅或銅合金。

根據本發明的一實施例，上述嵌入式封裝結構更包含一黏著劑或一焊錫設置于諸芯片之間。

根據本發明的一實施例，上述絕緣材料層的材料包含ABF絕緣膜(Ajinomoto?build-up?film)、雙馬來酰亞胺-三嗪樹脂(BT)、聚酰亞胺(PI)或玻璃環氧樹脂(glass-epoxy?resin)。

根據本發明的一實施例，上述形成諸導電通孔的方法包含激光鉆孔法(laser?drilling)、干蝕刻法(dry?etching)或濕蝕刻法(wet?etching)。

根據本發明的一實施例，上述形成圖案化金屬層的方法包含金屬化制程(metallization)及蝕刻制程(etching?process)。

根據本發明的一實施例，上述金屬化制程包含物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)。

根據本發明的一實施例，上述蝕刻制程包含干蝕刻法或濕蝕刻法。

根據本發明的一實施例，上述嵌入式封裝結構更包含一第一保護層，其覆蓋圖案化金屬層。