[發(fā)明專利]嵌入式封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310412949.8
• 申請(qǐng)日: 2013-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104253114A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李嘉炎;蔡欣昌;李芃昕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/00
• 分類號(hào): H01L25/00;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;呂俊清

1.一種嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，包含：

一金屬基板，具有一第一表面及一第二表面；

一芯片模塊，位于該金屬基板的該第一表面上，包含至少二芯片，所述芯片相互堆疊且彼此電連接；

一絕緣材料層，覆蓋該金屬基板的該第一表面及該芯片模塊，且具有一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)形成于其中；以及

至少一圖案化金屬層，設(shè)置于該絕緣材料層上，通過(guò)該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)電連接于該芯片模塊。

2.如權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其中該嵌入式封裝結(jié)構(gòu)還包含另一芯片模塊，其位于該金屬基板的該第一表面上。

3.如權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其中所述芯片中的至少一個(gè)芯片包含有垂直型晶體管或橫向型晶體管。

4.如權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其中該嵌入式封裝結(jié)構(gòu)還包含一黏著層或一焊錫，其設(shè)置于所述芯片之間。

5.如權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其中所述芯片通過(guò)一導(dǎo)電層彼此電性連接。

6.如權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其中該絕緣材料層的材料包含ABF絕緣膜、雙馬來(lái)酰亞胺-三嗪樹(shù)脂、聚酰亞胺或玻璃環(huán)氧樹(shù)脂。

7.如權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其中該圖案化金屬層的材料選自由下列所組成的群組：銅、鈦、鉑、鋁、鎳、鎢、金、鋅、錫、鍺及其組合。

8.如權(quán)利要求1所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其中該嵌入式封裝結(jié)構(gòu)還包含一第一保護(hù)層，其覆蓋該圖案化金屬層。

9.如權(quán)利要求8所述的嵌入式封裝結(jié)構(gòu)，其中該嵌入式封裝結(jié)構(gòu)還包含一第二保護(hù)層，其覆蓋該金屬基板的該第二表面。

10.一種制造嵌入式封裝結(jié)構(gòu)的方法，包含:

提供一金屬基板，具有一第一表面及一第二表面；

形成一芯片模塊于該金屬基板的該第一表面，其中該芯片模塊包含彼此電性連接且相互堆疊的至少二芯片；

形成一絕緣材料層，覆蓋該金屬基板的該第一表面及該芯片模塊；

形成多個(gè)導(dǎo)電通孔，穿透該絕緣材料層；以及

形成至少一圖案化金屬層于該絕緣材料層上，其中所述導(dǎo)電通孔電性連接于該芯片模塊及該圖案化金屬層。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該金屬基板的材料為銅或銅合金。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該方法還包含形成一黏著劑或一焊錫于所述芯片之間。

13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該絕緣材料層的材料包含ABF絕緣膜、雙馬來(lái)酰亞胺-三嗪樹(shù)脂、聚酰亞胺或玻璃環(huán)氧樹(shù)脂。

14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成所述導(dǎo)電通孔的方法包含利用激光鉆孔法、干蝕刻法或濕蝕刻法形成多個(gè)導(dǎo)電通孔的孔洞。

15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成該圖案化金屬層的方法包含金屬化制程及蝕刻制程。

16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該金屬化制程包含物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積。

17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中該蝕刻制程包含干蝕刻法或濕蝕刻法。

18.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該方法還包含形成另一芯片模塊位于該金屬基板的該第一表面。

19.如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成該芯片模塊于該金屬層的該第一表面的方法包含：

將一第一芯片裝設(shè)于該金屬層的該第一表面；以及

堆疊一第二芯片于該第一芯片上，其中該第二芯片電性連接于該第一芯片。

20.如權(quán)利要求10所述的方法，其中形成該芯片模塊于該金屬層的該第一表面的方法包含：

垂直整合一第一芯片與一第二芯片，以形成該芯片模塊；以及

將該芯片模塊裝設(shè)于該金屬基板的該第一表面。