[發明專利]顯示裝置以及其制造方法在審
| 申請號: | 201310412406.6 | 申請日: | 2013-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN103872074A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 金埈永 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;楊莘 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
相關專利申請的交叉引用
本申請要求于2012年12月11日提交到韓國知識產權局的第10-2012-0143834號韓國專利申請的權益,該申請的全文通過引用并入本文。
技術領域
本發明涉及裝置和該裝置的制造方法,尤其是顯示裝置和顯示裝置的制造方法。
背景技術
傳統的沉積設備包括:襯底保持器,其上安裝有襯底;加熱坩堝(或蒸發舟),包含電致發光(EL)材料,即沉積材料;關閉件,用于防止待升華的電致發光材料上升;以及加熱器,用于對加熱坩堝中的電致發光材料進行加熱。通過加熱器加熱的電致發光材料被升華并被沉積在旋轉襯底上。為了形成均勻的膜,襯底與加熱坩堝之間的距離通常應至少為1米。
當考慮制造使用紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)光顏色的全彩平板顯示器時,因為成膜的精度不高,所以可以設計不同像素之間寬間隔,或者可以在像素之間形成被稱為堆(bank)的絕緣體。
此外,對于具有高分辨率(例如,大量的像素)、高孔徑比和高可靠性的全彩平板顯示器的需求增加。然而,因為隨著分辨率(像素數)和發光裝置的尺寸(形狀因素)增加使得在各個有機發光層中的節距變得精細,所以這種需求是具有挑戰性的。同時也存在著對于高產量和低成本的需求。
發明內容
本發明提供在混合圖案化期間允許上層膜與下層膜之間的強粘附力的顯示裝置和該顯示裝置的制造方法。
根據本發明一方面,提供顯示裝置,包括:第一襯底;發光部分,形成在第一襯底上;以及密封部分,被附接到第一襯底以保護發光部分免受周圍環境條件影響,其中第一襯底的邊緣的至少一部分被倒角。
第一襯底的邊緣在厚度方向上具有三角形橫截面。
第一襯底的邊緣可以從上面形成有發光部分的第一襯底的一個表面向著第一襯底的邊緣倒角。
另外,第一襯底的邊緣可以從上面未形成有發光部分的第一襯底的另一個表面向著第一襯底的邊緣倒角。
第一襯底的末端分別可以從第一襯底的兩個表面向著第一襯底的邊緣倒角。
發光部分可以包括有機發光層,并且其中,有機發光層包括藍色發光層、紅色發光層、綠色發光層和白色發光層中的至少一個。
通過使用精細金屬掩膜工藝形成藍色發光層。
通過使用激光感應熱成像(LITI)工藝形成紅色發光層和綠色發光層中的至少一個。
白色發光層形成自藍色發光層、紅色發光層和綠色發光層的層疊。
根據本發明另一方面,提供顯示裝置的制造方法,該制造方法包括:提供具有倒角的邊緣的第一襯底;將緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵電極、層間絕緣層、源電極、漏電極、鈍化層、像素限定膜和像素電極以此順序層疊在第一襯底上;以及通過精細金屬掩膜工藝和激光感應熱成像(LITI)工藝,在由像素限定膜限定的像素中的像素電極上形成有機發光層。
通過使用拋光工藝倒角第一襯底的邊緣。
形成有機發光層的步驟包括:通過使用精細金屬掩膜工藝將藍色發光層沉積在像素電極上并且通過使用激光感應熱成像工藝將綠色發光層和紅色發光層轉印到像素電極上。
激光感應熱成像工藝包括:將綠色發光層轉印到像素電極上并且之后將紅色發光層轉印在像素電極上。
通過激光感應熱成像工藝將綠色發光層和紅色發光層轉印到像素電極上的步驟包括:將第一襯底設置在下層膜上;通過在基底膜上轉印上面圖案化有紅色發光層和綠色發光層之一的轉印層來準備上層膜;將上層膜布置在第一襯底上并且通過排氣層壓上層膜和下層膜;以及通過激光束照射上層膜并且將紅色發光層和綠色發光層中的一個轉印到像素電極上。
將綠色發光層和紅色發光層轉印到像素電極上的步驟進一步包括:在激光束照射之后去除上層膜和下層膜。
顯示裝置的制造方法進一步包括:將相對電極形成在上面已形成有有機發光層的像素限定膜上,并且通過密封部分密封相對電極。
該制造方法進一步包括:將第一襯底切分為多個襯底并且彼此分離多個襯底。
形成有機發光層的步驟包括:通過沉積或轉印藍色發光層、綠色發光層和紅色發光層形成白色發光層。
顯示裝置和該顯示裝置的制造方法在第一襯底的邊緣上允許上層膜與下層膜之間的完全附接,由此提升上層膜與下層膜之間的粘附力。
顯示裝置和該顯示裝置的制造方法消除由于第一襯底的厚度導致上層膜未被附接到下層膜的部分,由此防止第一襯底的移動并且允許將發光層轉印到像素限定膜129上的精確位置上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





