[發明專利]顯示裝置以及其制造方法在審
| 申請號: | 201310412406.6 | 申請日: | 2013-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN103872074A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 金埈永 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;楊莘 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
第一襯底;
發光部分,形成在所述第一襯底上;以及
密封部分,被附接到所述第一襯底以保護所述發光部分免受周圍環境條件影響,
其中,所述第一襯底的邊緣的至少一部分被倒角。
2.如權利要求1所述的裝置,其中,
所述第一襯底的所述邊緣在厚度方向上具有三角形橫截面。
3.如權利要求1所述的裝置,其中,
所述第一襯底的所述邊緣從所述第一襯底的上面形成有所述發光部分的一個表面向著所述第一襯底的邊緣倒角。
4.如權利要求1所述的裝置,其中,
所述第一襯底的所述邊緣從所述第一襯底的上面未形成有所述發光部分的另一個表面向著所述第一襯底的邊緣倒角。
5.如權利要求1所述的裝置,其中,
所述第一襯底的末端分別從所述第一襯底的兩個表面向著所述第一襯底的邊緣倒角。
6.如權利要求1所述的裝置,其中,
所述發光部分包括有機發光層;以及
其中,所述有機發光層包括藍色發光層、紅色發光層、綠色發光層和白色發光層中的至少一個。
7.如權利要求6所述的裝置,其中,
通過使用精細金屬掩膜工藝形成所述藍色發光層。
8.如權利要求6所述的裝置,其中,
通過使用激光感應熱成像工藝形成所述紅色發光層和所述綠色發光層中的至少一個。
9.如權利要求6所述的裝置,其中,
所述白色發光層形成自所述藍色發光層、所述紅色發光層和所述綠色發光層的層疊。
10.一種顯示裝置的制造方法,所述方法包括:
提供具有倒角的邊緣的第一襯底;
將緩沖層、有源層、柵極絕緣層、柵電極、層間絕緣層、源電極、漏電極、鈍化層、像素限定膜和像素電極按此順序層疊在所述第一襯底上;以及
通過精細金屬掩膜工藝和激光感應熱成像工藝,在由所述像素限定膜限定的像素中的所述像素電極上形成有機發光層。
11.如權利要求10所述的方法,其中,
通過使用拋光工藝倒角所述第一襯底的所述邊緣。
12.如權利要求10所述的方法,其中,所述形成所述有機發光層的步驟包括:
通過使用所述精細金屬掩膜工藝將藍色發光層沉積在所述像素電極上并且通過使用所述激光感應熱成像工藝將綠色發光層和紅色發光層轉印到所述像素電極上。
13.如權利要求12所述的方法,其中,所述激光感應熱成像工藝包括:
將所述綠色發光層轉印到所述像素電極上并且之后將所述紅色發光層轉印到所述像素電極上。
14.如權利要求12所述的方法,其中,所述通過所述激光感應熱成像工藝將所述綠色發光層和所述紅色發光層轉印到所述像素電極上的步驟包括:
將所述第一襯底設置在下層膜上;
通過在基底膜上轉印上面圖案化有所述紅色發光層和所述綠色發光層之一的轉印層來準備上層膜;
將所述上層膜布置在所述第一襯底上并且通過排氣層壓所述上層膜和所述下層膜;以及
通過激光束照射所述上層膜并且將所述紅色發光層和所述綠色發光層之一轉印到所述像素電極上。
15.如權利要求14所述的方法,其中,所述將所述綠色發光層和所述紅色發光層轉印到所述像素電極上的步驟進一步包括:
在所述激光束照射之后去除所述上層膜和所述下層膜。
16.如權利要求10所述的方法,進一步包括:
將相對電極形成在上面已形成有所述有機發光層的所述像素限定膜上,并且通過密封部分密封所述相對電極。
17.如權利要求10所述的方法,進一步包括:
該制造方法進一步包括:將所述第一襯底切分為多個襯底并且彼此分離所述多個襯底。
18.如權利要求10所述的方法,其中,所述形成所述有機發光層的步驟包括:
通過沉積或轉印藍色發光層、綠色發光層和紅色發光層形成白色發光層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





