[發(fā)明專利]包括防沉積單元的薄膜沉積裝置及其去除沉積物的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310412327.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103981489B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-09-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許明洙;金善浩;趙喆來(lái);朱儇佑 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/22 | 分類號(hào): | C23C14/22 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204 | 代理人: | 余朦;劉錚 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 沉積 單元 薄膜 裝置 及其 去除 沉積物 方法 | ||
提供了包括防沉積單元的薄膜沉積裝置和該裝置的去除沉積物的方法。該方法包括:從薄膜沉積裝置的腔室分離包括至少一個(gè)防沉積板和耦合到至少一個(gè)防沉積板的外表面上的變形單元的防沉積單元;以及從防沉積板去除成膜層。
相關(guān)專利申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2013年02月13日提交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的第10-2013-0015535號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,該申請(qǐng)的全文通過(guò)引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的方面涉及包括可以輕易地去除其上的沉積物的防沉積單元的薄膜沉積裝置,以及從該薄膜沉積裝置去除沉積物的方法。
背景技術(shù)
通常,包括薄膜晶體管(TFT)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置可用于如數(shù)碼相機(jī)、視頻攝像機(jī)、便攜式攝像機(jī)、便攜式信息終端、超薄型筆記本電腦、智能電話、柔性顯示裝置或平板個(gè)人電腦的移動(dòng)設(shè)備的顯示器中,或者可用在如超薄電視的電氣和電子產(chǎn)品中。
有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括:第一電極、第二電極和在第一電極與第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層。有機(jī)發(fā)光裝置可以包括:用于保護(hù)形成在基板上的有機(jī)發(fā)光層的封裝層。
可以使用多種方法中的任意方法形成有機(jī)發(fā)光層和封裝層。例如,可以通過(guò)使用薄膜沉積裝置的沉積法形成有機(jī)發(fā)光層和封裝層。這種情況下,如有機(jī)材料的沉積用原料不僅會(huì)被沉積在腔室中有機(jī)發(fā)光顯示裝置的所需區(qū)域,而且還會(huì)被沉積在腔室中的其他區(qū)域。
為了解決該問(wèn)題,防沉積板可以被提供在腔室中。然而,當(dāng)通過(guò)使用沉積用原料反復(fù)執(zhí)行成膜時(shí)(例如,多于1000次),成膜層將以幾毫米的厚度形成在防沉積板上。相應(yīng)地,由于成膜層導(dǎo)致防沉積板必須被更換。并且,形成在厚的防沉積層上的成膜層可能脫落,由此在沉積過(guò)程中產(chǎn)生顆粒。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施方式提供了包括可以輕易地去除在沉積過(guò)程中形成在其上的沉積物的防沉積單元的薄膜沉積裝置,以及從該薄膜沉積裝置去除沉積物的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,所提供的薄膜沉積裝置,包括:腔室;沉積單元,設(shè)置在腔室中被配置為將原料沉積在基板上;以及防沉積單元,設(shè)置在腔室中,包括至少一個(gè)防沉積板和耦合到防沉積板的一個(gè)表面上的變形單元。
至少一個(gè)防沉積板可以包括金屬板。
變形單元可以包括形狀記憶合金。
變形單元可以具有線形狀并且可以與防沉積板的一個(gè)表面接觸。
至少一個(gè)防沉積板可以包括第一防沉積板和第二防沉積板,并且變形單元可以被設(shè)置在第一防沉積板與第二防沉積板的相對(duì)的表面之間。
變形單元可以具有線形狀。
變形單元的外表面可以與第一防沉積板和第二防沉積板的相對(duì)的表面接觸。
防沉積單元可以被設(shè)置在腔室與成膜層待形成的與成膜區(qū)域之間。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供去除薄膜沉積裝置的沉積物的方法,該方法包括:從薄膜沉積裝置的腔室分離包括至少一個(gè)防沉積板和耦合到至少一個(gè)防沉積板的外表面的變形單元的防沉積單元;以及從防沉積板去除成膜層。
至少一個(gè)防沉積板可以包括第一防沉積板和第二防沉積板,并且變形單元可以被設(shè)置在第一防沉積板與第二防沉積板的相對(duì)的表面之間。
變形單元可以包括形狀記憶合金。
變形單元可以具有線形狀,并且變形單元的外表面可以與第一防沉積板和第二防沉積板的相對(duì)的表面接觸。
從防沉積板去除成膜層的步驟可以包括:將防沉積單元載入到恒溫槽中;分離成膜層部分與防沉積單元之間的界面;通過(guò)使用氣體吹掃工藝從防沉積單元去除成膜層;以及從恒溫槽取出防沉積單元。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





