[發(fā)明專利]一種泡沫硅反射鏡及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310412181.4
• 申請(qǐng)日: 2013-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN103728682B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳照峰;聶麗麗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 太倉派歐技術(shù)咨詢服務(wù)有限公司
• 主分類號(hào): G02B5/08
• 分類號(hào): G02B5/08;G02B1/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種泡沫硅反射鏡，其特征在于包括泡沫硅胚體和附著在胚體表面的致密Si涂層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射鏡，其特征在于所述的泡沫硅胚體是一種以碳泡沫為基底，表面附著有Si薄膜的開孔泡沫。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的泡沫硅胚體，其特征在于所述的Si薄膜的厚度為50nm～2μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射鏡，其特征在于所述的泡沫硅胚體內(nèi)部呈現(xiàn)三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，具有大的比表面積，可填充固、液、氣態(tài)的多種物質(zhì)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射鏡，其特征在于所述的Si涂層成致密結(jié)構(gòu)，附著在泡沫硅胚體的表面，厚度為0.5～3mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射鏡，其特征在于反射鏡的鏡面可以是平面的，也可以是曲面的。

7.一種泡沫硅反射鏡的制備方法，其特征在于包括下述順序的步驟：

(1)將聚氨酯泡沫熱解，制作碳泡沫；

(2)將制得的碳泡沫加工一面或多面成需要的鏡面結(jié)構(gòu)；

(3)制備Si薄膜：將加工過的碳泡沫放入CVI爐中，通入SiCl₄和H₂，控制溫度和時(shí)間，在開孔泡沫內(nèi)壁附著一定厚度的Si薄膜，最終得到泡沫硅；

(4)表面Si涂層的制備：從CVI爐中取出泡沫硅，放入硅化爐中，通入H₂和SiCl₄，SiCl₄在1100～1300℃下高溫分解出Si，分解出的Si晶粒沉積在泡沫硅表面，沉積時(shí)間為4～20小時(shí)，最終在泡沫硅表面附著一層致密的Si涂層；

(5)將表面附著有致密涂層的泡沫硅從硅化爐中取出，用金剛石精加工成所需要的鏡面，最終得到一種泡沫硅發(fā)射鏡。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于所述的碳泡沫是通過聚氨酯泡沫加熱碳化得到，具體的工藝過程分兩步進(jìn)行：先在空氣中、200～255℃下將聚氨酯泡沫加熱；接著在惰性氣氛中、700～900℃下碳化。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于所述的Si薄膜是通過CVI的方法獲得。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于所述的Si涂層是通過CVD的方法獲得，沉積溫度為1100～1300℃，時(shí)間為4～20小時(shí)。