[發(fā)明專利]一種阻抗匹配方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310412111.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104425208B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-01-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韋剛;李興存;宋銘明 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100176 北*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 阻抗匹配 方法 | ||
1.一種阻抗匹配方法,用于在交替循環(huán)的刻蝕和沉積中使得射頻電源的阻抗和匹配網(wǎng)絡(luò)與反應(yīng)腔的阻抗匹配,其特征在于,所述阻抗匹配方法包括:
S1、在前N個(gè)刻蝕步驟中,調(diào)節(jié)所述匹配網(wǎng)絡(luò),使所述射頻電源的阻抗和所述匹配網(wǎng)絡(luò)與所述反應(yīng)腔的阻抗匹配,并獲取所述匹配網(wǎng)絡(luò)的刻蝕步驟阻抗值,以及在前N個(gè)沉積步驟中,調(diào)節(jié)所述匹配網(wǎng)絡(luò),使所述射頻電源的阻抗和所述匹配網(wǎng)絡(luò)與所述反應(yīng)腔的阻抗匹配,并獲取所述匹配網(wǎng)絡(luò)的沉積步驟阻抗值;
S2、在第N+1個(gè)以及后續(xù)的刻蝕步驟中,設(shè)定所述匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗值為所述刻蝕步驟阻抗值,在第N+1個(gè)以及后續(xù)的沉積步驟中,設(shè)定所述匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗值為所述沉積步驟阻抗值,并在第N+1個(gè)以及后續(xù)的刻蝕步驟和第N+1個(gè)以及后續(xù)的沉積步驟中,調(diào)節(jié)所述射頻電源的頻率,以使所述射頻電源的阻抗和所述匹配網(wǎng)絡(luò)與所述反應(yīng)腔的阻抗匹配;
其中,N為預(yù)先設(shè)定的正整數(shù);
N大于1時(shí),所述S1中獲取的所述匹配網(wǎng)絡(luò)的刻蝕步驟阻抗值為:前N個(gè)刻蝕步驟中每個(gè)刻蝕步驟調(diào)節(jié)所述匹配網(wǎng)絡(luò)后得到的所述匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗值的平均值;所述S1中獲取的所述匹配網(wǎng)絡(luò)的沉積步驟阻抗值為:前N個(gè)沉積步驟中每個(gè)沉積步驟調(diào)節(jié)所述匹配網(wǎng)絡(luò)后得到的所述匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗值的平均值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗匹配方法,其特征在于,所述射頻電源為掃頻電源。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗匹配方法,其特征在于,所述匹配網(wǎng)絡(luò)包括阻抗傳感器,所述阻抗傳感器能夠獲取所述匹配網(wǎng)絡(luò)和所述反應(yīng)腔的阻抗值;
所述S1中根據(jù)所述阻抗傳感器所獲取的所述匹配網(wǎng)絡(luò)和所述反應(yīng)腔的阻抗值,調(diào)節(jié)所述匹配網(wǎng)絡(luò)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻抗匹配方法,其特征在于,所述匹配網(wǎng)絡(luò)包括阻抗可調(diào)元件,
所述調(diào)節(jié)所述匹配網(wǎng)絡(luò)包括:調(diào)節(jié)所述阻抗可調(diào)元件的參數(shù)值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的阻抗匹配方法,其特征在于,所述S1中獲取所述匹配網(wǎng)絡(luò)的刻蝕步驟阻抗值,包括:獲取所述阻抗可調(diào)元件的刻蝕步驟參數(shù)值;
所述S1中所述獲取所述匹配網(wǎng)絡(luò)的沉積步驟阻抗值,包括:獲取所述阻抗可調(diào)元件的沉積步驟參數(shù)值。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻抗匹配方法,其特征在于,所述S2中設(shè)定所述匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗值為所述刻蝕步驟阻抗值包括:設(shè)定所述阻抗可調(diào)元件的參數(shù)值為所述刻蝕步驟參數(shù)值;
所述S2中設(shè)定所述匹配網(wǎng)絡(luò)的阻抗值為所述沉積步驟阻抗值包括:設(shè)定所述阻抗可調(diào)元件的參數(shù)值為所述沉積步驟參數(shù)值。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的阻抗匹配方法,其特征在于,所述阻抗可調(diào)元件為電容和/或電感。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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