[發(fā)明專利]一種陶瓷基混雜復合材料的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310412066.7 | 申請日： | 2013-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN103724038A | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳照峰;聶麗麗 | 申請（專利權）人： | 太倉派歐技術咨詢服務有限公司 |
| 主分類號： | C04B35/80 | 分類號： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陶瓷 混雜 復合材料 制備 方法 | ||
1.一種陶瓷基混雜復合材料的制備方法，包括鎳涂層、SiC泡沫、SiC管和SiC涂層，其特征在于包括下述順序的步驟：
(1)在石墨芯表面編織碳纖維骨架；
(2)在碳纖維骨架上CVD熱解碳涂層，涂層厚度為50～150nm；
(3)利用CVI的方法在沉積有碳界面層的碳纖維骨架上沉積SiC，脫去石墨芯，制成半成品SiC管，孔隙率剩余10～25％；
(4)PIP?SiC，得到SiC管；
(5)在制得的SiC管外表面纏繞碳泡沫，再CVI?SiC3～10小時，得到表面具有SiC泡沫的SiC管；
(6)采用電鑄的方法在管材的最外層，即SiC泡沫的表面制備一定厚度的鎳涂層。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于用作編織骨架的碳纖維采用1K、2K或3K的碳纖維束，骨架厚度為0.8～2.8mm。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的CVD熱解碳涂層的具體工藝條件是：沉積溫度1300～1400℃，甲烷流量30～40ml/min；N2氣流量150～200ml/min；沉積時間5～20h。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的CVI沉積SiC的具體工藝條件是：以三氯甲基硅烷為先驅體原料、H2作載氣和稀釋氣體，氣體流量為60～120mL/min，沉積溫度為1050～1200℃，壓力為常壓，時間為40～100h。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的PIP?SiC的具體工藝條件是：先在1000℃以下，向C纖維中浸漬聚碳硅烷，然后在1000～1200℃下裂解，接著在1300～1500℃下進行熱處理2～4h；多次進行上述“浸漬-熱解-熱處理”的循環(huán)工藝，達到對C碳纖維預制體增密的效果。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于所述的電鑄鎳涂層的具體條件是：以硫酸鎳為主鹽，溫度40～60℃，直流供電，電流密度為1.0～3.0A/dm2。
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