[發(fā)明專利]適用于低電壓寄存器堆的寫加強(qiáng)的抗讀位線漏電存儲(chǔ)單元

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310410505.0
• 申請(qǐng)日: 2013-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN103500583A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 虞志益;韓軍;鄒澤遠(yuǎn);李毅;韓軍;程旭;曾曉洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 復(fù)旦大學(xué)
• 主分類號(hào): G11C7/18
• 分類號(hào): G11C7/18
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.?一種適用于低電壓寄存器堆的寫加強(qiáng)的抗讀位線漏電存儲(chǔ)單元，其特征在于包括：

第一反相器和第二反相器，所述的第一反相器和第二反相器交叉耦合，通過正反饋來(lái)存儲(chǔ)真值，具有真存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和互補(bǔ)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；在所述的第一反相器和第二反相器的下拉路徑上分別插入有一個(gè)寫打斷晶體管，并通過寫打斷信號(hào)來(lái)控制這兩個(gè)寫打斷晶體管的開關(guān)，從而控制兩個(gè)反相器之間的反饋的開啟與關(guān)斷；

第一寫晶體管，其源極連接在真存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上，漏極連接在第一寫位線上，柵極連接在寫字線上；

第二寫晶體管，其源極連接在互補(bǔ)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上，漏極連接在第二寫位線上，柵極連接在寫字線上；

第一讀隔離管，其源極連接在讀字線上，漏極連接在第一偽存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上，柵極連接在真存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上；

第二讀隔離管，其源極連接在地線上，漏極連接在第一偽存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上，柵極連接在真存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上；

第一讀晶體管，其源極連接在第二偽存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上，漏極連接在讀位線上，柵極連接在第一偽存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上；

第二讀晶體管，其源極連接在地線上，漏極連接在第二偽存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上，柵極連接在讀字線上。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于：在進(jìn)行寫操作時(shí)，通過寫打斷信號(hào)來(lái)保持插入的兩個(gè)寫打斷晶體管處于關(guān)斷狀態(tài)。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于：在進(jìn)行讀操作時(shí)，通過寫打斷信號(hào)保持兩個(gè)寫打斷晶體管處于開啟狀態(tài)。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于：在進(jìn)行數(shù)據(jù)保持時(shí)，通過寫打斷信號(hào)保持兩個(gè)寫打斷晶體管處于開啟狀態(tài)。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元，其特征在于：第二讀晶體管由一行存儲(chǔ)單元共享。