[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201310410095.X
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN103681601A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 橋本隆介;內田慎一;中柴康隆;根本敬繼
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;G01R15/18
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

相關申請的交叉引用

包括說明書、說明書附圖和說明書摘要的、于2012年9月19日提交的第2012-205722號日本專利申請的公開內容通過完全引用而并入于此。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件并且涉及一種例如可以應用于包括電感器的半導體器件的技術。

背景技術

在檢測功率線中流動的功率量的功率計中使用電感器。在改變功率線中流動的電流量時，從功率線生成的磁場強度改變。根據磁場強度的這一改變跨電感器生成電壓。功率計通過監控這一電壓來檢測功率線中流動的功率量。

注意專利文獻1(日本專利公開號2001-326526)描述使用電感器作為天線，該天線為電磁感應類型的數據載體執行讀出和寫入。專利文獻1描述電感器的上側和下側由電屏蔽圖案覆蓋用于抑制電場分量從電感器泄漏。

另外，專利文獻2(日本專利公開號2009-194302)描述無源部件的電感器的上側和下側在用于無線通信的半導體器件中由屏蔽覆蓋。這一屏蔽被提供用于阻止磁場并且由布線圖案形成。

另外，專利文獻3(WO2004/055839)描述電感器的上側和下側由屏蔽覆蓋。圖案化這一屏蔽用于抑制鏡像電流流動。

注意專利文獻4(日本專利公開號1990-72660)和5(日本專利公開號2004-311655)描述電感器在其周界中由屏蔽覆蓋。

發明內容

在用半導體器件實現檢測功率線中流動的功率量的裝置時，有必要為半導體器件提供電感器和內部電路。在改變功率量時，跨電感器生成電壓改變。這一電壓改變在電感器周圍生成電場波動，并且這一波動引起噪聲并且可能提供對內部電路的操作的影響。為了抑制這一問題，有必要用導體圖案覆蓋電感器的上側和下側。然而在電感器的上側和下側由導體圖案覆蓋時，磁場強度改變未到達電感器并且降低功率量的檢測準確性。其它問題和新特征將從本說明書的描述和附圖中變得清楚。

根據一個實施例，通過使用多層布線層來形成電感器并且提供電感器以便包圍內部電路。在比電感器更高的層中提供上屏蔽部分，并且在比電感器更低的層中提供下屏蔽部分。上屏蔽部分具有多個第一開口。第一開口在平面圖中與電感器重疊。

根據以上描述的實施例，有可能抑制電感器引起的噪聲向外界泄漏并且也使磁場的強度改變到達電感器。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施例的半導體器件的配置的平面圖；

圖2是從圖1省略上屏蔽部分和下屏蔽部分的圖；

圖3是圖1的A-A’截面圖；

圖4是示出圖1的修改的圖；

圖5是用于說明第一開口和電感器的相對位置的圖；

圖6是示出圖5的修改的圖；

圖7是示出內部電路的電路配置的功能框圖；

圖8示出用于放大器部的電路圖的示例；

圖9是示出用于圖1的B-B’截面的第一示例的圖；

圖10是示出用于圖1的C-C’截面的第一示例的圖；

圖11是示出用于圖1的B-B’截面的第二示例的圖；

圖12是示出用于圖1的C-C’截面的第二示例的圖；

圖13是示出用于圖1的B-B’截面的第三示例的圖；

圖14是示出用于圖1的C-C’截面的第三示例的圖；

圖15是示出根據第二實施例的半導體器件的配置的截面圖；

圖16是用于半導體器件在圖15的線D所示平面中的截面圖的第一示例；

圖17是用于半導體器件在圖15的線D所示平面中的截面圖的第二示例；

圖18是示出根據第三實施例的半導體器件的配置的平面圖；

圖19是示出根據第四實施例的半導體器件的配置的平面圖；

圖20是示出圖19的修改的截面圖；并且

圖21是示出根據第五實施例的半導體器件的配置的截面圖。

具體實施方式

下文將通過使用附圖說明實施例。注意在所有附圖中，相同構成具有相同標號，并且將可選地省略其說明。

(第一實施例)

圖1是示出根據第一實施例的半導體器件SD的配置的平面圖。圖2是從圖1省略上屏蔽部分SIE1和下屏蔽部分SIE2的圖。圖3是圖1的A-A’截面圖。半導體器件SD具有襯底SUB、多層布線層MIC、內部電路CIR、電感器IND、上屏蔽部分SIE1和下屏蔽部分SIE2。襯底SUB例如是半導體襯底，諸如硅襯底。