[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201310410095.X
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN103681601A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 橋本隆介;內田慎一;中柴康隆;根本敬繼
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;G01R15/18
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種半導體器件，包括：

襯底；

內部電路；

在所述襯底之上形成的多層布線層；

電感器，所述電感器通過使用所述多層布線層來形成并且所述電感器被提供以便在平面圖中包圍所述內部電路，并且所述電感器的兩端耦合到所述內部電路；

上屏蔽部分，所述上屏蔽部分通過使用所述多層布線層來形成、在所述平面圖中與所述電感器重疊、位于在厚度方向上高于所述電感器的層中并且具有各自與所述電感器重疊的多個第一開口；以及

下屏蔽部分，所述下屏蔽部分在所述平面圖中與所述電感器重疊并且位于在所述厚度方向上低于所述電感器的層中。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述下屏蔽部分通過使用所述多層布線層來形成。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述下屏蔽部分具有各自與所述電感器重疊的多個第二開口。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中所述第一開口和所述第二開口至少在其部分中相互重疊。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述下屏蔽部分還包括在所述襯底中形成的雜質層。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述下屏蔽部分包括在所述襯底中形成的雜質層。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中提供在所述雜質層的表面層中形成的硅化物層。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一開口具有矩形形狀并且也具有與所述電感器平行的縱向方向。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述電感器在多匝中包圍所述內部電路，并且作為第一匝的第一環狀構件和作為第二匝的第二環狀構件在所述平面圖中從彼此移位，并且

分別在所述第一環狀構件以上和在所述第二環狀構件以上提供所述第一開口。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，

其中在與所述電感器平行的方向上交替地布置在所述第一環狀構件以上提供的所述第一開口和在所述第二環狀構件以上提供的所述第一開口。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，在A表示所述第一開口的開口寬度、T表示所述上屏蔽部分的厚度并且D表示在所述上屏蔽部分的下表面與所述電感器的上表面之間的距離時，提供關系為A≤(T+D)x2/3。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

在所述多層布線層中提供的第一電極焊盤和第二電極焊盤；

將所述第一電極焊盤耦合到所述內部電路的第一耦合路徑；以及

將所述第二電極焊盤耦合到所述上屏蔽部分的第二耦合路徑。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述上屏蔽部分具有如下配置，在所述配置中在所述平面圖中沿著所述電感器布置多個導體塊。

14.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

第一側屏蔽部分，所述第一側屏蔽部分通過使用所述多層布線層來形成、在所述平面圖中位于所述電感器與所述內部電路之間并且在所述厚度方向上耦合所述上屏蔽部分和所述下屏蔽部分。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，

其中所述多層布線層包括其中形成過孔的過孔層，并且

所述第一側屏蔽部分的位于所述過孔層中的部分配置有彼此分離的所述多個過孔。

16.根據權利要求14所述的半導體器件，

其中所述多層布線層具有其中形成過孔的過孔層，并且

所述第一側屏蔽部分的位于所述過孔層中的部分配置有切口過孔。

17.根據權利要求14所述的半導體器件，還包括：

第二側屏蔽部分，所述第二側屏蔽部分通過使用所述多層布線層來形成、在所述平面圖中從所述電感器在所述半導體器件的外周界側上被提供并且在所述厚度方向上耦合所述上屏蔽部分和所述下屏蔽部分。