[發(fā)明專利]無(wú)聚合物載體的地塞米松TLM鈦合金藥物支架制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310409861.0
• 申請(qǐng)日: 2013-09-10
• 公開（公告）號(hào): CN103469279A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何芳;黃遠(yuǎn);陳利霞;李立軍;李鳳嬌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號(hào): C25D11/26
• 分類號(hào): C25D11/26;A61F2/82;A61L31/16;A61L31/08
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 程毓英

1.一種無(wú)聚合物載體的地塞米松TLM鈦合金藥物支架制備方法，依次包括下列步驟：

1）對(duì)TLM鈦合金管試樣進(jìn)行前處理；

2）一次陽(yáng)極氧化處理：將經(jīng)步驟1）處理過的鈦合金管試樣和清洗干凈的鉑電極分別作為陽(yáng)極和陰極，置于電解液中，電解液是乙二醇與水的混合溶液，然后加入氟化銨；將電解液燒杯置于冰水浴中，并緩慢攪拌電解液；調(diào)節(jié)直流穩(wěn)壓穩(wěn)流電源的電壓為20V～40V進(jìn)行氧化處理30min～6h；而后將試樣經(jīng)去離子水、乙醇依次超聲清洗數(shù)次，于冷風(fēng)下吹干；將吹干后的鈦合金試樣浸于1M的鹽酸中，超聲處理，以去除表面陽(yáng)極氧化層，然后依次用去離子水和乙醇超聲清洗試樣數(shù)次，冷風(fēng)吹干；

3）二次陽(yáng)極氧化處理：溫度、電壓、電解液等試驗(yàn)參數(shù)保持不變，再次進(jìn)行氧化處理，處理時(shí)間短于步驟1）的時(shí)間，然后用去離子水和乙醇超聲清洗，即在TLM鈦合金管表面得到優(yōu)化的陽(yáng)極氧化膜；

4）藥物加載：在真空箱中將經(jīng)步驟3）處理的鈦合金管試樣浸泡于濃度為0.5～6mg/mL地塞米松乙醇過飽和溶液4～20h，浸泡過程中保持真空狀態(tài)，進(jìn)行地塞米松藥物的加載；然后將加載了地塞米松藥物的試樣于PBS磷酸鹽緩沖溶液中潤(rùn)洗兩次，以除去試樣表面附著力較小的地塞米松藥物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)聚合物載體的地塞米松TLM鈦合金藥物支架制備方法，其特征在于，其中的步驟1），對(duì)TLM鈦合金管試樣進(jìn)行前處理的步驟如下：依次用丙酮、異丙醇、甲醇、去離子水超聲清洗，浸泡在乙醇中備用；然后將清洗好的試樣在氫氟酸、濃硝酸和水體積配比為2：3：11的混合酸溶液中處理一段時(shí)間，再依次用去離子水、乙醇超聲清洗數(shù)次，最后存放在乙醇中待用。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)聚合物載體的地塞米松TLM鈦合金藥物支架制備方法，其特征在于，其中的步驟2），乙二醇與水的混合溶液的體積比為99:1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)聚合物載體的地塞米松TLM鈦合金藥物支架制備方法，其特征在于，其中的步驟2），氟化銨質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.5%。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)聚合物載體的地塞米松TLM鈦合金藥物支架制備方法，其特征在于，其中的步驟3），再次氧化處理時(shí)間為10min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無(wú)聚合物載體的地塞米松TLM鈦合金藥物支架制備方法，其特征在于，其中的步驟4），加載地塞米松用的真空箱內(nèi)的溫度為30℃，干燥溫度為60℃。