[發明專利]半導體封裝件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310409372.5
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN104425425B
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發明（設計）人: 楊俊洋
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L23/367;H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導體封裝件，其特征在于，包括：

一封裝體，具有一外側面及相對的一上表面與一下表面；

一芯片，受到該封裝體包覆且具有一主動面，該主動面從該封裝體的該下表面露出；

一第一導電架，包括相連接的一直立部及一橫向部，該直立部從該封裝體的該上表面延伸至該封裝體的該下表面，該橫向部從該直立部橫向地延伸至該封裝體的該外側面并具有一外側面及一下表面，該橫向部的該外側面從該封裝體的該外側面露出，而該橫向部的該下表面從該封裝體的該下表面露出；

一第二導電架，與該第一導電架隔離且具有一下表面，該第二導電架的該下表面從該封裝體的該下表面露出；以及

一第一線路層，橫向地延伸于該第二導電架的該下表面與該芯片的該主動面之間，以電性連接該第二導電架與該芯片，一第一保護層覆蓋該第一線路層且具有數個第一開孔，其中該數個第一開孔露出該第一導電架的該下表面和該第二導電架的該下表面。

2.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該直立部具有一下表面，該半導體封裝件更包括：

一較大電性接點，形成于該橫向部的該下表面與該直立部的該下表面上；以及

一較小電性接點，形成于該第二導電架的該下表面與該芯片的該主動面的一者。

3.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該橫向部的該外側面與該封裝體的該外側面對齊。

4.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，更包括：

一被動元件，設于該橫向部的上表面上并受到該封裝體的包覆。

5.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該芯片具有一相對該主動面的背面，該直立部與該第二導電架各具有一上表面，該芯片的該背面、該直立部的該上表面、該第二導電架的該上表面與該封裝體的該上表面對齊。

6.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該直立部具有一外側面，該橫向部具有一上表面，該封裝體包覆該直立部的該外側面與該橫向部的該上表面。

7.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該芯片具有相對該主動面的一背面，且該背面從該封裝體的該上表面露出，更包括：

一第二線路層，橫向地延伸于該直立部的上表面、該芯片的該背面與該第二導電架的上表面之間，以電性連接該第一導電架與該第二導電架。

8.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該芯片更具有相對該主動面的一背面，該半導體封裝件更包括：

一第二保護層，形成于該芯片的該背面上。

9.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，更包括：

一第二線路層，橫向地延伸于該直立部的上表面與該第二導電架的上表面之間，以電性連接該第一導電架與該第二導電架。

10.如權利要求1所述的半導體封裝件，其特征在于，該封裝體具有一凹陷部，該凹陷部位于該第一導電架與該第二導電架之間。

11.一種半導體封裝件的制造方法，其特征在于，包括：

設置一主導電架于一載板上，該主導電架包括一第一導電架、一連接部與一第二導電架，該連接部連接該第一導電架與該第二導電架，該第一導電架包括相連接的一橫向部及一直立部，該橫向部具有一下表面，該橫向部以該下表面設于該載板上；

設置一芯片于該載板上，該芯片具有一主動面，該芯片以該主動面設于該載板上；

形成一封裝體包覆該芯片及該主導電架，其中該連接部的一上表面是被該封裝體包覆；

移除該連接部與部分的該封裝體，以分離該第一導電架與該第二導電架；

移除該載板，以露出該橫向部的一下表面、該第二導電架的一下表面及該封裝體的一下表面；

形成一第一線路層延伸于該第二導電架的該下表面與該芯片的該主動面之間，以電性連接該第二導電架與該芯片；以及

形成一切割道經過該封裝體及該橫向部，使該封裝體與該橫向部各形成一外側面，其中該橫向部的該外側面從該封裝體的該外側面露出。