[發(fā)明專利]一種晶體硅納米太陽能電池制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310408952.2 | 申請日： | 2013-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN103456841A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 范維濤;勾憲芳;蘇楊楊;高冠宇;姜利凱;王鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 中節(jié)能太陽能科技（鎮(zhèn)江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 繆友菊 |
| 地址： | 212132 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 晶體 納米 太陽能電池 制備 方法 | ||
1.一種晶體硅納米太陽能電池的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
（1）、晶硅電池背面采用混酸體系拋光去除硅片機(jī)械損傷及缺陷；
（2）、在拋光后的晶硅電池迎光面發(fā)射極層和背表面上制備Al2O3層介質(zhì)膜或在拋光后的晶硅電池背面生成氧化硅及氮化硅介質(zhì)膜；
（3）、在晶硅電池背面介質(zhì)膜上通過化學(xué)腐蝕或激光方法制備納米線陣列；
（4）、納米線陣列在晶硅電池背面擴(kuò)散；
（5）、采用熱氧化工藝或利用化學(xué)鍍或電鍍技術(shù)鈍化納米線陣列表面性能；
（6）、采用激光燒蝕工藝進(jìn)行背面局部接觸；
?（7）、晶硅電池金屬電極制備；
（8）、測試分選制成的晶體硅納米太陽能電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅納米太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟（2）?所述Al2O3層通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積或原子層沉積法制備。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅納米太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟（2）所述氧化硅及氮化硅采用PECVD制備。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體硅納米太陽能電池的制備方法，其特征在于：步驟（5）中，利用化學(xué)鍍或電鍍技術(shù)鈍化納米線陣列表面性能的過程中：在硅納米線陣列表面沉積5-100nm的鉑納米顆粒。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
