[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310407944.6
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN104425442A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳美麗
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)

電容、電阻等被動元件（Passive?Circuit?Element）被廣泛應(yīng)用于集成電路制作技術(shù)中，這些器件通常采用標(biāo)準(zhǔn)的集成電路工藝，利用摻雜單晶硅、摻雜多晶硅以及氧化膜或氮氧化膜等制成，比如多晶硅-介質(zhì)膜-多晶硅（PIP，Poly-Insulator-Poly）電容。由于這些器件比較接近硅襯底，器件與襯底間的寄生電容使得器件的性能受到影響，尤其在射頻（RF）CMOS電路中，隨著頻率的上升，器件的性能下降很快。

金屬-絕緣體-金屬（MIM，Metal-Insulator-Metal）電容技術(shù)的開發(fā)為解決這一問題提供了有效的途徑，該技術(shù)將電容制作在互連層，即后道工藝（BEOL，Back?End?Of?Line）中，既與集成電路工藝相兼容，又通過拉遠(yuǎn)被動元件與導(dǎo)電襯底間的距離，克服了寄生電容大、器件性能隨頻率增大而明顯下降的弊端，使得該技術(shù)逐漸成為了集成電路中制作被動元件電容的主流。

但是，在帶有MIM電容器的半導(dǎo)體器件中，也存在一些問題，主要是如果MIM電容器下面直接放功能器件（例如晶體管），則MIM電容器會與下面的功能器件產(chǎn)生相互干擾。現(xiàn)有技術(shù)中針對帶有MIM電容器的半導(dǎo)體器件主要有兩種實(shí)現(xiàn)方式：

1、MIM電容器下面不放功能器件，從而可徹底避免MIM電容器與功能器件產(chǎn)生相互干擾，但是此種實(shí)現(xiàn)方式將極大的浪費(fèi)晶圓面積；

2、MIM電容器下面放一些不太敏感的功能器件，從而能夠節(jié)省一部分晶圓面積，但是此種實(shí)現(xiàn)方式還是會使得MIM電容器與其下的功能器件產(chǎn)生相互干擾（只是這種干擾對于其下的功能器件尚且能夠被容忍），并且也限制了可放置于MIM電容器下的功能器件的種類（即只能是一些不太敏感的功能器件）。

因此，如何提供一種帶有MIM電容器的半導(dǎo)體器件，其能夠避免上述缺陷，成了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，以解決現(xiàn)有的帶有MIM電容器的半導(dǎo)體器件浪費(fèi)晶圓面積或者限制了可放置于MIM電容器下的功能器件的種類的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：半導(dǎo)體襯底；形成于所述半導(dǎo)體襯底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM電容器；其中，在所述功能器件和所述MIM電容器之間形成有一屏蔽層。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件中，所述屏蔽層為接地的金屬層。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件中，所述屏蔽層為接地的銅金屬層或者接地的鋁金屬層。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件中，所述屏蔽層在所述半導(dǎo)體襯底上的投影籠罩所述MIM電容器在所述半導(dǎo)體襯底上的投影。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件中，所述MIM電容器包括金屬下極板、位于金屬下極板上的絕緣層、及位于絕緣層上的金屬上極板，所述屏蔽層緊靠所述金屬下極板。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件中，還包括與所述屏蔽層位于同層的金屬互連線，所述屏蔽層與位于同層的金屬互連線斷開。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述半導(dǎo)體器件的制造方法包括：

提供一半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成功能器件；

在所述功能器件上形成屏蔽層；

在所述屏蔽層上形成MIM電容器。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述屏蔽層為接地的金屬層。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述屏蔽層為接地的銅金屬層或者接地的鋁金屬層。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述屏蔽層在所述半導(dǎo)體襯底上的投影籠罩所述MIM電容器在所述半導(dǎo)體襯底上的投影。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中，所述MIM電容器包括金屬下極板、位于金屬下極板上的絕緣層、及位于絕緣層上的金屬上極板，所述屏蔽層緊靠所述金屬下極板。

可選的，在所述的半導(dǎo)體器件的制造方法中，在所述功能器件上形成屏蔽層的同時，在所述屏蔽層的同層形成金屬互連線，所述屏蔽層與位于同層的金屬互連線斷開。

在本發(fā)明提供的半導(dǎo)體器件及其制造方法中，通過在功能器件和MIM電容器之間形成一屏蔽層，隔離所述功能器件與所述MIM電容器之間的相互干擾，由此既能夠避免晶圓面積的浪費(fèi)又能夠使得可放置于MIM電容器下的功能器件不受限制。

附圖說明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)示意圖；