[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310407944.6 | 申請日： | 2013-09-09 |
| 公開（公告）號： | CN104425442A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳美麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底；形成于所述半導(dǎo)體襯底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM電容器；其中，在所述功能器件和所述MIM電容器之間形成有一屏蔽層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述屏蔽層為接地的金屬層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述屏蔽層為接地的銅金屬層或者接地的鋁金屬層。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述屏蔽層在所述半導(dǎo)體襯底上的投影籠罩所述MIM電容器在所述半導(dǎo)體襯底上的投影。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述MIM電容器包括金屬下極板、位于金屬下極板上的絕緣層、及位于絕緣層上的金屬上極板，所述屏蔽層緊靠所述金屬下極板。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，還包括與所述屏蔽層位于同層的金屬互連線，所述屏蔽層與位于同層的金屬互連線斷開。
7.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成功能器件；
在所述功能器件上形成屏蔽層；
在所述屏蔽層上形成MIM電容器。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述屏蔽層為接地的金屬層。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述屏蔽層為接地的銅金屬層或者接地的鋁金屬層。
10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述屏蔽層在所述半導(dǎo)體襯底上的投影籠罩所述MIM電容器在所述半導(dǎo)體襯底上的投影。
11.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述MIM電容器包括金屬下極板、位于金屬下極板上的絕緣層、及位于絕緣層上的金屬上極板，所述屏蔽層緊靠所述金屬下極板。
12.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述功能器件上形成屏蔽層的同時，在所述屏蔽層的同層形成金屬互連線，所述屏蔽層與位于同層的金屬互連線斷開。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國際集成電路制造（上海）有限公司，未經(jīng)中芯國際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310407944.6/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種反熔絲結(jié)構(gòu)
- 下一篇：半導(dǎo)體裝置
