[發明專利]能夠收容工件的網結構體

無效

• 申請號: 201310407790.0
• 申請日: 2013-09-10
• 公開（公告）號: CN103668066A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 澀澤邦彥;帖佐千夏
• 申請（專利權）人: 太陽化學工業株式會社
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/14;C23C16/22;C23G3/00;B08B13/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種網結構體，其具備：

劃出用于收容工件的收容空間的網基體、及

形成在所述網基體的表面的至少一部分上的、具有比所述網基體更高的疏水性的涂層薄膜。

2.根據權利要求1所述的網結構體，其在所述網基體的表面上還具備通過干式工藝形成的底涂劑薄膜，

所述涂層薄膜形成在所述底涂劑薄膜的表面上。

3.根據權利要求2所述的網結構體，其中，所述底涂劑薄膜含有選自Si、Ti、Al及Zr以及它們的氧化物中的至少一種物質。

4.根據權利要求3所述的網結構體，其中，所述底涂劑薄膜含有氧和/或氮。

5.根據權利要求2所述的網結構體，其中，所述底涂劑薄膜為含有選自O、N及Si中的至少一種物質的無定形碳膜。

6.根據權利要求2所述的網結構體，其中，所述底涂劑薄膜具有比所述基體更高的親水性。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的網結構體，其中，所述網基體以實質上包含矩形平面狀的6個網板的長方體形狀構成，

所述涂層薄膜形成在該六個網板中的至少一個的表面上。

8.根據權利要求1～6中任一項所述的網結構體，所述網基體以圓筒形狀構成，

所述涂層薄膜形成在所述圓筒形狀的網基體的頂面、底面或側面中的至少一個面上。

9.根據權利要求2～6中任一項所述的網結構體，其中，所述干式工藝為選自濺射法、等離子體CVD法、CVD法、真空蒸鍍法、MBE法、團簇離子束法及高頻離子鍍敷法中的任一種工藝。

10.根據權利要求2～6或9中任一項所述的網結構體，其中，所述涂層薄膜形成在所述底涂劑薄膜的表面上，且其以能夠與所述底涂劑薄膜形成氫鍵和/或基于縮合反應的-O-M鍵的含氟偶聯劑為主要成分，在此，M為選自Si、Ti、Al及Zr中的任一元素。

11.根據權利要求2～6或9中任一項所述的網結構體，其中，所述涂層薄膜形成在所述底涂劑薄膜的表面上，且其以能夠與所述底涂劑薄膜形成氫鍵和/或基于縮合反應的-O-M鍵的含氟硅烷偶聯劑為主要成分，在此，M是選自Si、Ti、Al及Zr中的任一元素。

12.根據權利要求2～6或9中任一項所述的網結構體，其中，所述涂層薄膜具備：

以能夠與所述底涂劑薄膜形成氫鍵和/或基于縮合反應的-O-M鍵的偶聯劑為主要成分，且形成在所述底涂劑薄膜的表面上的第一層，在此，M是選自Si、Ti、Al及Zr中的任一元素；及

以疏水材料為主要成分、且形成在所述第一層的表面上的第二層。

13.根據權利要求12所述的網結構體，其中，所述偶聯劑由選自硅烷偶聯劑、鈦酸酯系偶聯劑、鋁酸酯系偶聯劑及鋯酸酯系偶聯劑中的任一種偶聯劑構成。

14.一種網結構體，其具備劃出用于收容工件的收容空間的網基體，

該網基體的表面的至少一部分由疏水性材料形成。

15.根據權利要求14所述的網結構體，其中，所述疏水性材料包含氟樹脂。

16.根據權利要求14所述的網結構體，其中，所述疏水性材料包含硅酮樹脂。