[發明專利]常溫水相法制備近紅外熒光Ag2Se膠體半導體納米晶的方法有效
| 申請號: | 201310402727.8 | 申請日: | 2013-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN103484121A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發明(設計)人: | 覃愛苗;蔣麗;吳秀蘭;廖雷;余心亮 | 申請(專利權)人: | 桂林理工大學 |
| 主分類號: | C09K11/88 | 分類號: | C09K11/88;C01B19/04;C30B28/06;C30B29/46;B82Y30/00;B82Y40/00;B82Y20/00 |
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| 地址: | 541004 廣*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫水 法制 紅外 熒光 ag sub se 膠體 半導體 納米 方法 | ||
1.一種常溫水相法制備近紅外熒光Ag2Se膠體半導體納米晶的方法,其特征在于具體合成步驟:
(1)稱取0.01-0.02g亞硒酸鈉溶解于20-25ml去離子水中,攪拌使之溶解并加入0.02-0.05ml質量分數為90.0%的巰基乙酸溶液,再加入0.02-0.06g硼氫化鈉,持續攪拌至溶液為無色且無氣泡產生,即獲得硒前驅體;
(2)將0.07-0.18g硝酸銀溶于50-100ml去離子水中,再加入0.05-0.25g?表面修飾劑L-半胱氨酸,攪拌15-30min,然后用濃度為1mol/L的氫氧化鈉溶液調節溶液pH值至9-13,攪拌15-30min后加入10-25ml步驟(1)制得的硒前驅體,攪拌30-60min,得到近紅外熒光Ag2Se膠體半導體納米晶。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于所述的近紅外熒光Ag2Se膠體半導體納米晶的制備條件均為常溫。
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