[發明專利]一種石英承載舟無效
| 申請號: | 201310401683.7 | 申請日: | 2013-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN103474382A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 郭城;呂明;徐明星;郭英云;紀大鵬 | 申請(專利權)人: | 濟南科盛電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 濟南日新專利代理事務所 37224 | 代理人: | 謝省法 |
| 地址: | 250200 山東省濟南*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石英 承載 | ||
技術領域
本發明涉及半導體生產技術領域。尤其是涉及在半導體生產中用于SIPOS沉積工藝的一種石英承載舟。
背景技術
半導體產品生產過程中的LPCVD系統中需經過SIPOS沉積的工序,其特征是在晶片表面通過特殊氣體在特殊條件下沉積一層SIPOS薄膜,同時承載晶片的石英承載舟表面被沉積一層SIPOS薄膜,經過多次沉積后石英承載舟需經混合酸浸泡去除表面SIPOS薄膜,而石英承載舟經多次混酸浸泡后的使用壽命及其穩固性成為生產成本的制約因素。目前已有的SIPOS沉積石英承載舟缺點如下:其一,刻槽石英棒經過混酸多次浸泡進一步腐蝕變細;其二,左右刻槽石英棒之間沒有支撐,在操作拿取過程中易斷裂;其三,上下刻槽石英棒之間支撐接觸面小,穩固性差,在進出爐過程中易出現斷裂,造成晶片掉落報廢。這是現有技術所存在的不足之處。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術中存在的缺點,提供便于操作、堅固、在操作拿取過程中易斷裂、耐用的一種石英承載舟。采用的技術方案是:一種石英承載舟,包括有舟體及設置在舟體兩端的拉環,舟體包括下刻槽石英棒及與之相連的上支撐石英棒、中支撐石英棒、下支撐石英棒、承重石英棒等組成,其特征在于:在所述舟體上設置上刻槽石英棒、在所述上刻槽石英棒、下刻槽石英棒之間設置側支撐石英彎板。增加了舟體的穩固性,降低石英承載舟的破損幾率。
本發明的技術特征還有:所述側支撐石英彎板至少設置兩個。
本發明的技術特征還有:所述側支撐石英彎板兩邊對稱設置。
本發明的技術特征還有:所述側支撐石英彎板均布設置。
本發明的技術特征還有:所述上刻槽石英棒的刻槽與所述下刻槽石英棒的刻槽一一對應。
本方案的有益效果可根據對上述方案的敘述得知,一種石英承載舟,包括有舟體及設置在舟體兩端的拉環,舟體包括下刻槽石英棒及與之相連的上支撐石英棒、中支撐石英棒、下支撐石英棒、承重石英棒等組成,其特征在于:在所述舟體上設置上刻槽石英棒、在所述上刻槽石英棒、下刻槽石英棒之間設置側支撐石英彎板。本發明的有益效果是:設置了上刻槽石英棒,并在上下刻槽石英棒之間加強了支撐,增加了舟體的穩固性,避免了在進出爐過程中易出現斷裂的現象,增強石英承載舟的載重能力,降低石英承載舟的破損幾率,延長石英承載舟的使用壽命。本發明具有使用效果好、結構簡單、成本低廉之優點。
附圖說明
附圖1是本發明結構示意主視圖,附圖2是本發明結構示意左視圖,附圖3是本發明結構示意仰視圖,?其中1是上刻槽石英棒,2是承重石英棒,3是上支撐石英棒,4是中支撐石英棒,5是下支撐石英棒,6是石英拉環,7是側支撐石英棒,8是側支撐石英彎板,9是下刻槽石英棒。
具體實施方式
下面結合附圖,對本發明的具體實施方式進行說明。本發明公開了一種石英承載舟,包括有舟體及設置在舟體兩端的石英拉環6,舟體包括下刻槽石英棒9及與之相連的上支撐石英棒3、中支撐石英棒4、下支撐石英棒5、承重石英棒2等組成,在舟體上設置上刻槽石英棒1、在上刻槽石英棒1、下刻槽石英棒9之間設置側支撐石英彎板8。側支撐石英彎板8至少設置兩個。側支撐石英彎板8兩邊對稱設置。側支撐石英彎板8均布設置。上刻槽石英棒1的刻槽與下刻槽石英棒9的刻槽一一對應。本發明為在舟體兩側各對稱均布設置三個側支撐石英彎板8。
工作原理:晶片垂直放置于平行刻槽內,刻槽間距相等,上下刻槽石英棒間距可根據晶片直徑進行調整,石英承載舟可以根據生產數量需要延長或縮短。例如:上下刻槽石英棒間距40mm可放置3英寸晶片,上下刻槽石英棒間距60mm可放置4英寸晶片,刻槽石英棒開槽120槽可放置200片晶片,刻槽石英棒開槽140槽可放置240片晶片。進出料時拉桿頭部勾住石英拉環,帶動SIPOS石英承載舟整體移動。
當然,上述說明并非對本發明的限制,本發明也不僅限于上述舉例,本技術領域的普通技術人員在本發明的實質范圍內所做出的變化、改型、添加或替換,也屬于本發明的保護范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





