[發明專利]背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法

有效

• 申請號: 201310400428.0
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN103500771A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 劉強;薛小興;楊斌;盧君
• 申請（專利權）人: 江蘇愛多光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 江陰大田知識產權代理事務所(普通合伙) 32247
• 代理人: 楊新勇

1.一種背面邊緣隔離法制備多晶體硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述工藝方法包括如下步驟：

（a）清洗制絨：將多晶硅片置于硝酸或鉻酸和氫氟酸的混合溶液中，去除損傷層，形成絨面結構；

（b）擴散制備PN結：將硅片置于三氯氧磷氣氛中進行擴散，形成PN結；

（c）腐蝕漿料：通過點膠法將腐蝕漿料均勻覆蓋于硅片背面的邊緣；

（d）加熱：將背面邊緣覆蓋有腐蝕漿料的硅片進行加熱，反應后去除背面邊緣的PN結；

（e）清洗：洗去所述腐蝕漿料殘余，去除正面磷硅玻璃；

（f）采用PECVD技術在正面沉積氮化硅薄膜；

（g）采用絲網印刷然后共燒形成合金的方式，在正面形成銀電極，背面形成鋁背場。

2.如權利要求1所述的背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述步驟（a）中硝酸或鉻酸和氫氟酸的體積比在1:2-5:1之間，反應時間在50-250s之間。

3.如權利要求2所述的背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述步驟（b）中，擴散溫度在700-900℃之間，攜帶三氯氧磷的氮氣流量在500-2500ml/min之間，通氣時間在10-30min之間。

4.如權利要求3所述的背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，經過所述步驟（b）擴散后的硅片方塊電阻在60-100Ω/□。

5.如權利要求4所述的背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，步驟（c）中，所述腐蝕漿料的覆蓋寬度為0.2-2mm，高度為0.2-2mm，漿料距硅片邊緣的距離小于0.5mm。

6.如權利要求5所述的背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述腐蝕漿料含有氫氧化鈉或氫氧化鉀，所述氫氧化鈉或氫氧化鉀的質量百分濃度為5%-20%。

7.如權利要求1所述的背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，步驟（d）中，加熱溫度設置為150℃-300℃之間。

8.如權利要求7所述的背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，在所述步驟（e）中，先將硅片浸泡在去離子水中1-5min，再噴淋去離子水洗去所述腐蝕漿料殘余。

9.如權利要求8所述的背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，在所述步驟（e）中，采用氫氟酸水溶液去除磷硅玻璃，所述氫氟酸的質量百分濃度為5%-20%，去除磷硅玻璃的時長為2-10min。

10.如權利要求9所述的背面邊緣隔離法制備多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述步驟（f）中，沉積溫度設置為400-500℃，氮化硅薄膜厚度為80-90nm。