[發(fā)明專利]固態(tài)成像裝置及電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310400038.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN103681713A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮澤信二;大岡豐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 褚海英;陳桂香

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種固態(tài)成像裝置及一種電子裝置，具體而言，涉及其中防水性得以提高的一種固態(tài)成像裝置及一種電子裝置。

背景技術(shù)

在過去，為在固態(tài)成像裝置的制造中保護(hù)微透鏡，提出在微透鏡的表面上形成由氧化膜、氮化膜或氮氧化膜形成的保護(hù)膜（參見JP?2005-277409A及JP?2008-288570A）。此種保護(hù)膜利用例如SiN（氮化硅）形成，而且還具有防止硅基板的表面上的金屬布線被腐蝕的功能。

圖1是圖示作為固態(tài)成像裝置的示例的CMOS圖像傳感器芯片的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖，在所述固態(tài)成像裝置中，在微透鏡的表面上形成有保護(hù)膜。此芯片10具有其中堆疊有硅基板11、保護(hù)膜12、遮光膜13、平坦化膜14、濾色層15、平坦化膜16及微透鏡層17的結(jié)構(gòu)。應(yīng)注意，硅基板11的表面上形成有光電二極管（未圖示）。

此外，通過利用SiN等在微透鏡層17的表面上形成保護(hù)膜（未圖示），可防止水分及雜質(zhì)進(jìn)入至芯片10的表面（微透鏡層17）側(cè)。

然而，例如，當(dāng)將芯片10放置于具有高的水蒸氣壓的環(huán)境中時(shí)，水分及雜質(zhì)可進(jìn)入芯片10的上面未形成有保護(hù)膜的側(cè)面，并可使品質(zhì)劣化。

例如，如圖1中的箭頭所示，進(jìn)入芯片10的側(cè)面的水分可吸收用于芯片10的密封樹脂的成分并進(jìn)入濾色層15中，此可導(dǎo)致濾色器脫色以及光學(xué)特性的改變。

此外，如圖2中的箭頭所示，進(jìn)入芯片10的側(cè)面的水分可到達(dá)硅基板11的表面，此可導(dǎo)致光電二極管的表面膜上的固定電荷發(fā)生變化并導(dǎo)致暗電流增大。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明旨在提高固態(tài)成像裝置（例如CMOS圖像傳感器）的防水性。

根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，提供一種固態(tài)成像裝置，其包括：基板，其表面上形成有多個(gè)光電二極管；以及保護(hù)膜，其是透明的并且具有防水性，所述保護(hù)膜包括垂直于所述基板的所述表面的側(cè)壁部及覆蓋由所述側(cè)壁部圍繞的區(qū)域的頂部，所述側(cè)壁部及所述頂部圍繞在所述基板上排列有所述多個(gè)光電二極管的區(qū)域。

所述保護(hù)膜的所述側(cè)壁部可沿所述固態(tài)成像裝置的側(cè)表面而形成。

所述保護(hù)膜還可沿開孔的內(nèi)壁而形成，所述開孔用于布線至所述固態(tài)成像裝置的電極焊盤。

所述保護(hù)膜的所述側(cè)壁部被嵌入沿所述固態(tài)成像裝置的外周邊并且在所述外周邊的內(nèi)側(cè)形成的凹槽中。

所述保護(hù)膜還可被嵌入形成于開孔的周邊中的凹槽中，所述開孔用于布線至所述固態(tài)成像裝置的所述電極焊盤。

所述保護(hù)膜的所述側(cè)壁部的下端與內(nèi)壁至少之一可與所述基板接觸。

所述保護(hù)膜的所述頂部與所述基板之間可設(shè)置有濾色器。

所述保護(hù)膜的所述頂部可形成用于將光聚集至每一個(gè)所述光電二極管的微透鏡。

所述保護(hù)膜的所述頂部可與所述濾色器接觸。

所述保護(hù)膜的所述頂部可形成于微透鏡的表面上，所述微透鏡用于將光聚集至每一個(gè)所述光電二極管。

所述保護(hù)膜的所述頂部可設(shè)置于微透鏡與所述濾色器之間，所述微透鏡用于將光聚集至每一個(gè)所述光電二極管。

所述保護(hù)膜的所述頂部可設(shè)置于濾色器與所述基板之間。

所述濾色器可與所述保護(hù)膜的所述頂部接觸。

所述保護(hù)膜的所述頂部可與遮光膜接觸，所述遮光膜用于防止光泄露至相鄰像素。

所述保護(hù)膜可包含氮化硅。

所述固態(tài)成像裝置可為底部發(fā)光型。

所述固態(tài)成像裝置可為頂部發(fā)光型。

所述固態(tài)成像裝置可用透明樹脂及玻璃封裝。

根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，提供一種電子裝置，所述電子裝置包括：如上所述的任意一種固態(tài)成像裝置；以及信號(hào)處理部，其用于對(duì)從所述固態(tài)成像裝置輸出的像素信號(hào)執(zhí)行信號(hào)處理。

根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例或第二實(shí)施例，所述保護(hù)膜用于防止水分及雜質(zhì)的進(jìn)入。

根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例或第二實(shí)施例，可提高固態(tài)成像裝置的防水性。

附圖說明

圖1是圖示現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖；

圖2是圖示現(xiàn)有技術(shù)的CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖；

圖3是圖示應(yīng)用本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的實(shí)施例的構(gòu)造示例的方框圖；

圖4是圖示形成應(yīng)用本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的芯片的基本結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖；

圖5是圖示形成應(yīng)用本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的芯片的基本結(jié)構(gòu)的示意性平面圖；

圖6是圖示形成應(yīng)用本發(fā)明的CMOS圖像傳感器的芯片的第一實(shí)施例的示意性剖視圖；