[發(fā)明專利]LED外延片無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310398798.5 | 申請(qǐng)日： | 2013-09-05 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103456851A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉樹高;安建春 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 山東開元電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/06 | 分類號(hào)： | H01L33/06;H01L33/02 |
| 代理公司： | 濰坊鳶都專利事務(wù)所 37215 | 代理人： | 王慶德 |
| 地址： | 262400 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | led 外延 | ||
1.一種LED外延片，包括依次疊加的襯底（1）、GaN緩沖層（2）、第一N-GaN接觸層（31）、第一多量子阱發(fā)光層（41）、P-GaN接觸層（5）、N型電極和P型電極（7），其特征是所述P-GaN接觸層（5）另一面依次設(shè)有第二多量子阱發(fā)光層（42）和第二N-GaN接觸層（32）；第一N-GaN接觸層（31）和第二N-GaN接觸層（32）上均與N型電極連接。
2.按照權(quán)利要求1所述的LED外延片，其特征是所述P-GaN接觸層（5）厚度為350-1000nm。
3.按照權(quán)利要求2所述的LED外延片，其特征是所述P-GaN接觸層（5）厚度為400-650nm。
4.按照權(quán)利要求2或3所述的LED外延片，其特征是所述P-GaN接觸層（5）兩側(cè)的多量子阱發(fā)光層均為InGaN/GaN?藍(lán)光多量子層，第一和第二多量子阱發(fā)光層的厚度均為9-15nm；第一N-GaN接觸層（31）和第二N-GaN接觸層（32）厚度均為100-1000nm。
5.按照權(quán)利要求1所述的LED外延片，其特征是N型電極和P型電極（7）分別設(shè)有內(nèi)延的N型電極支路（63）和P型電極支路（71），且N型電極支路（63）和P型電極支路（71）叉形設(shè)置；N型電極支路（63）的底面和頂面分別與第一N-GaN接觸層（31）和第二N-GaN接觸層（32）電連接，P型電極支路（71）底面與P-GaN接觸層（5）電連接。
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