[發明專利]鍍鎳溶液和使用其形成鎳鍍層的方法

在審

• 申請號: 201310398269.5
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN103668351A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 金美昑;南孝昇
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: C25D3/12
• 分類號: C25D3/12
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;張英

相關申請的引用

本申請要求于2012年9月11日提交的名為“Nickel?Plating?Solution?and?Method?for?Forming?Nickel?Plating?Layer?Using?The?Same”的韓國專利申請第10-2012-0100435號的權益，將其全部內容通過引用結合到本申請中。

技術領域

本發明涉及鍍鎳溶液和使用其用于形成鎳鍍層的方法。

背景技術

一般來說，作為電子部件中的芯片部件的外部電極，通過電鍍在底層金屬材料上形成鎳或錫鍍層。在裝配印刷電路板時將錫鍍層用作焊層，而鎳鍍層則用作外部電極和焊物之間的阻擋層。

對于鎳鍍層，使用了鎳電鍍溶液并且主要使用氨基磺酸鹽鍍液（sulfamate?bath）或瓦特浴（watt?bath）。然而，在其中使用常規鍍鎳溶液的情況下，取決于電子部件的材料，可能會損壞電子部件的本體（body）。

由下列化學物質組成用于芯片部件的一般的鍍鎳溶液。在氨基磺酸鹽鍍液的情況下，將氨基磺酸鎳用作鎳金屬源，而在瓦特浴的情況下，將硫酸鎳用作鎳金屬源。

通常，為了幫助陽極溶解，將氯化鎳用作氯離子源，并主要地將硼酸用作緩沖劑和pH調節劑。另外，在4.5或更低的pH范圍內配制和使用鍍液。

然而，在其中由含有鐵素體（ferrite）或氧化錳的材料形成本體的情況下，由常規鎳電鍍溶液形成鍍層可能會引起本體的損壞。例如，由于本體被磨損，電特性可能會被劣化；鍍液可能滲入外部電極的相鄰部分；或者因為磨損外部電極可能被舉起或脫落。另外，外部電極和本體之間粘合強度的降低可能導致產品存在缺陷。

在現有技術中，在其中本體被鍍液損壞的情況下，涂覆芯片的表面以使其與鍍液的接觸最小化，然后在其上進行鍍覆。然而，在其中進行涂覆的情況下，由于在鍍覆之前使用了另外的步驟需要成本和時間，并且在其中涂層膜的質量低劣的情況下，產品損壞的風險很高。

發明內容

本發明的目的是當由含有鐵素體或氧化錳的材料形成芯片部件的本體時，提供能夠使損壞程度最小化而沒有另外的步驟的鍍鎳溶液。

本發明的另一個目的是提供通過使用鎳電鍍溶液用于在芯片部件的外部電極上形成鎳鍍層的方法。

根據本發明的一個示例性實施方式，提供了鍍鎳溶液，包含：鎳離子；氯離子；和pH緩沖劑，其中通過使無機酸、和有機酸及其鹽混合來使用pH緩沖劑。

可以以30～100g/L的濃度包含pH緩沖劑，并且在該pH緩沖劑中可以以20～50g/L的濃度包含有機酸及其鹽。

有機酸及其鹽可以是選自由琥珀酸、葡萄糖酸、乳酸、和它們的鹽所組成的組中的至少一種。

可以以50～100g/L的濃度包含鎳離子，并且以10～50g/L的濃度包含氯離子。

鍍鎳溶液可以具有4.5～6.0的pH值。

根據本發明的另一個示例性實施方式，提供了用于形成鎳鍍層的方法，其中在芯片部件的外部電極上形成鎳鍍層，其中，通過使用包含鎳離子、氯離子和其中混合有無機酸、有機酸和其鹽的pH緩沖劑的鎳電鍍溶液形成鎳鍍層。

其中，可以由包含鐵素體；或Mn、Ni、Al或Co的半導體陶瓷材料形成芯片部件的本體。

芯片部件可以是電感器或熱敏電阻。

可以在施加DC電流條件下進行形成鎳鍍層。

在本文中，在鎳鍍層的形成中，鍍液的鍍覆溫度是45～55℃。

附圖說明

圖1是對照組（鍍覆前的芯片部件）的側表面的圖像。

圖2是通過使用比較例1的鍍液在外部電極上形成鎳鍍層之后芯片部件的側表面的圖像。

圖3是通過使用實施例1的鍍液在外部電極上形成鎳鍍層之后芯片部件的側表面的圖像。

圖4是通過使用根據比較例1制備的鍍鎳溶液在芯片部件的外部電極上形成鍍鎳層時，確認本體腐蝕或未腐蝕的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像。

圖5是通過使用根據實施例1制備的鍍鎳溶液在芯片部件的外部電極上形成鍍鎳層時，確認腐蝕或不腐蝕本體的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像，該芯片部件包括其中含有氧化錳的材料的本體。

具體實施方式

在下文中，將詳細描述本發明。

在本說明書中使用的術語是用于解釋實施方式而不是限制本發明。除非明確地描述為相反，在本說明書中單數形式包括復數形式。同樣，本文中所使用的，術語“包含”和/或“包括”將被理解為意指包含說明的組分、步驟、操作和/或原理，但不排除其它組分、步驟、操作和/或原理。