[發(fā)明專利]含多反應(yīng)器的半導(dǎo)體處理裝置及為其提供處理氣體的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310397989.X | 申請(qǐng)日: | 2013-09-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103681412A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 特奧多魯斯·G·M·奧斯特爾拉肯;拉德科·班科瑞斯 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 阿斯莫IP控股公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 歸瑩;張穎玲 |
| 地址: | 荷蘭阿*** | 國(guó)省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 反應(yīng)器 半導(dǎo)體 處理 裝置 提供 氣體 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及用于多反應(yīng)器半導(dǎo)體處理裝置(例如,用于化學(xué)氣相沉積(CVD)的裝置)的氣體供應(yīng)系統(tǒng),以及具有這樣的氣體供應(yīng)系統(tǒng)的多反應(yīng)器半導(dǎo)體處理裝置。本發(fā)明還涉及將處理氣體提供到半導(dǎo)體處理裝置的多個(gè)反應(yīng)器的方法。
背景技術(shù)
用于在半導(dǎo)體基板上的薄膜沉積的半導(dǎo)體處理裝置(例如,在本申請(qǐng)中被解釋為包含有原子層沉積(ALD)裝置的CVD裝置)通常可能包括反應(yīng)器以及用于將處理氣體(例如,前體)供應(yīng)到反應(yīng)器的氣體供應(yīng)系統(tǒng)。氣體供應(yīng)系統(tǒng)可能復(fù)雜并且昂貴,特別是當(dāng)處理材料/前體室溫下是固體或者液體并由此在被導(dǎo)入反應(yīng)器之前需要熔化和/或汽化或者升華的時(shí)候。假使半導(dǎo)體處理裝置包括多個(gè)反應(yīng)器,氣體供應(yīng)系統(tǒng)可以至少部分地在多個(gè)反應(yīng)器之間共享。相應(yīng)地,可以達(dá)到制造和保養(yǎng)成本的節(jié)約以及空間的節(jié)省。
當(dāng)共享的氣體供應(yīng)系統(tǒng)被用于多個(gè)反應(yīng)器時(shí),處理氣體可以被同時(shí)提供到所有的反應(yīng)器。然而,到每個(gè)單獨(dú)的反應(yīng)器的氣流可能并沒(méi)有被很好地控制。為每個(gè)單獨(dú)的反應(yīng)器提供流量控制設(shè)備可能導(dǎo)致系統(tǒng)過(guò)于復(fù)雜和昂貴。另外,處理氣體可能有序被提供到多個(gè)反應(yīng)器,每次只給一個(gè)反應(yīng)器提供氣體。以此方法,包括最終流量控制組件在內(nèi)的共享氣體源的所有組件能夠在多個(gè)反應(yīng)器中共享。特別是對(duì)于使用處理氣體脈沖的處理,這是非常經(jīng)濟(jì)的選擇。在對(duì)于一個(gè)反應(yīng)器的氣體脈沖之間,當(dāng)氣體供應(yīng)系統(tǒng)空閑或者氣流被轉(zhuǎn)向到通風(fēng)管路或者排氣裝置時(shí),共享的氣體供應(yīng)系統(tǒng)可能在沒(méi)有(過(guò)多)處理時(shí)間損失的情況下將氣體脈沖提供到另一系統(tǒng)(另外多個(gè)系統(tǒng))。然而,共享氣體供應(yīng)系統(tǒng)的共同問(wèn)題在于在這樣一個(gè)系統(tǒng)中選擇性地將一種或多種處理氣體提供到不同的反應(yīng)器所需的多個(gè)閥、氣體管路節(jié)點(diǎn)和氣體管路段可能保有一定容量的停滯流體。該容量可以稱為靜容量。具有靜容量的氣體供應(yīng)系統(tǒng)可以對(duì)抗有效的清除,比如說(shuō)使得可能無(wú)意地向一個(gè)反應(yīng)器提供本應(yīng)提供到另一反應(yīng)器的處理氣體,或者使得相互反應(yīng)的處理氣體在系統(tǒng)的氣體管路中不期混合。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于向半導(dǎo)體處理裝置提供多個(gè)反應(yīng)器和一共享的零靜容量氣體供應(yīng)系統(tǒng),所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)將處理氣體選擇性地提供到多個(gè)反應(yīng)器。
本發(fā)明的另一目的在于提供零靜容量氣體供應(yīng)系統(tǒng)以用于具有多個(gè)反應(yīng)器的半導(dǎo)體處理系統(tǒng),并且所述零靜容量氣體供應(yīng)系統(tǒng)能夠選擇性地將處理氣體提供到多個(gè)反應(yīng)器。
本發(fā)明的另一目的還在于向多反應(yīng)器半導(dǎo)體處理裝置的多個(gè)反應(yīng)器提供處理氣體。
為此,本發(fā)明的第一方面針對(duì)一種半導(dǎo)體處理裝置。所述半導(dǎo)體處理裝置包括氣體供應(yīng)系統(tǒng),氣體供應(yīng)系統(tǒng)包括至少一個(gè)氣體供應(yīng)單元。所述氣體供應(yīng)單元包括:處理氣體源;氣體分配歧管,包括具有入口和多個(gè)帶有閥的出口的環(huán)形氣體分配導(dǎo)管;以及氣體供應(yīng)導(dǎo)管,將所述處理氣體源流體連接到所述氣體分配歧管的所述入口上。該裝置還包括多個(gè)反應(yīng)器。每個(gè)所述反應(yīng)器都流體連接到所述至少一個(gè)氣體供應(yīng)單元的所述氣體分配歧管的相應(yīng)的帶有閥的出口上,以使得來(lái)自所述至少一個(gè)氣體供應(yīng)單元的所述處理氣體源的處理氣體可經(jīng)由所述至少一個(gè)氣體供應(yīng)單元的所述氣體供應(yīng)導(dǎo)管、所述氣體分配歧管以及相應(yīng)的帶有閥的出口選擇性地供應(yīng)到所述多個(gè)反應(yīng)器中的相應(yīng)反應(yīng)器中。
本發(fā)明的第二方面針對(duì)一種氣體供應(yīng)系統(tǒng),用在根據(jù)本發(fā)明第一方面所述的半導(dǎo)體處理裝置中。所述氣體供應(yīng)系統(tǒng)可包含至少一個(gè)氣體供應(yīng)單元(100),所述氣體供應(yīng)單元可包括:處理氣體源;氣體分配歧管,包括具有入口和多個(gè)帶有閥的出口的環(huán)形氣體分配導(dǎo)管,每個(gè)帶有閥的出口都可連接到所述半導(dǎo)體處理裝置的多個(gè)反應(yīng)器中的一個(gè)反應(yīng)器上;以及氣體供應(yīng)導(dǎo)管,將所述處理氣體源流體連接到所述氣體分配歧管的入口。所述至少一個(gè)氣體供應(yīng)單元可被配置為使得來(lái)自所述處理氣體源的處理氣體可經(jīng)由所述至少一個(gè)氣體供應(yīng)單元的所述氣體供應(yīng)導(dǎo)管、所述氣體分配歧管以及相應(yīng)的帶有閥的出口選擇性地供應(yīng)到所述多個(gè)反應(yīng)器中的相應(yīng)反應(yīng)器中。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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