[發明專利]含多反應器的半導體處理裝置及為其提供處理氣體的方法

在審

• 申請號: 201310397989.X
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN103681412A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 特奧多魯斯·G·M·奧斯特爾拉肯;拉德科·班科瑞斯
• 申請（專利權）人: 阿斯莫IP控股公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/455
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 歸瑩;張穎玲

1.一種半導體處理裝置（1），包括：

氣體供應系統（2），包括至少一個氣體供應單元（100），所述氣體供應單元（100）包括：

處理氣體源（110）；

氣體分配歧管（150），包括具有入口（154）和多個帶有閥的出口（156a-c）的環形氣體分配導管（152）；以及

氣體供應導管（130、132），將所述處理氣體源（110）流體連接到所述氣體分配歧管（150）的所述入口（154）上；以及

多個反應器（4a-c），每個所述反應器都流體連接到所述至少一個氣體供應單元（100）的所述氣體分配歧管（150）的相應的帶有閥的出口（156a-c）上，以使得來自所述至少一個氣體供應單元（100）的所述處理氣體源（110）的處理氣體可經由所述至少一個氣體供應單元的所述氣體供應導管（130、132）、所述氣體分配歧管（150）以及相應的帶有閥的出口（156a-c）選擇性地供應到所述多個反應器（4a-c）中的相應反應器中。

2.根據權利要求1所述的半導體處理裝置，其中，所述氣體分配歧管（150）的至少一個帶有閥的出口（156a-c）包括零靜容量閥，在所述零靜容量閥的開關點上游的所述環形氣體分配導管（152）中基本上不具有靜容量。

3.根據權利要求1或2所述的半導體處理裝置，其中，所述氣體供應導管（130）包括上游段（130a）和下游段（130b），并且

其中，所述上游段（130a）通過第一氣體供應開關閥（132）流體連接到所述下游段（130b），使得僅在所述第一氣體供應開關閥（132）處于打開狀態的情況下，來自所述處理氣體源（110）的處理氣體才能夠被提供到所述反應器（4a-c）。

4.根據權利要求3所述的半導體處理裝置，其中，所述第一氣體供應開關閥（132）是零靜容量閥，在所述零靜容量閥的開關點下游的所述氣體供應導管的下游段（130b）中基本上不具有靜容量。

5.根據權利要求3或4所述的半導體處理裝置，進一步包括：

清除氣體源（120），所述清除氣體源（120）流體連接到所述氣體供應導管的下游段（130b）。

6.根據權利要求3-5中任一項所述的半導體處理裝置，進一步包括：

排氣裝置（160）；以及

氣體排氣導管（136），具有上游端和下游端，所述上游端通過第二氣體供應開關閥（134）流體連接到所述氣體供應導管（130a）的上游段，所述下游端流體連接到所述排氣裝置（160）。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的半導體處理裝置，其中，所述氣體供應系統（2）包含至少兩個氣體供應單元（100、100’），以使得

來自所述至少兩個氣體供應單元的第一氣體供應單元（100）的處理氣體源（110）的處理氣體，可經由所述至少兩個氣體供應單元的所述第一氣體供應單元（100）的所述氣體供應導管（130、132）、所述氣體分配歧管（150）以及相應的帶有閥的出口（156a-c）選擇性地供應到所述多個反應器（4a-c）中的相應反應器上，同時

來自所述至少兩個氣體供應單元的第二氣體供應單元（100’）的處理氣體源（110’）的處理氣體，可經由所述至少兩個氣體供應系統的所述第二氣體供應單元（100’）的所述氣體導管（130’、132’）、所述氣體分配歧管（150’）以及相應的帶有閥的出口（156a’-c’）選擇性地供應到所述多個反應器（4a-c）中的相應反應器上。

8.根據權利要求7所述的半導體處理裝置（1），其中，所述氣體供應系統（2）進一步包含：

控制器（6），配置為控制所述至少兩個氣體供應單元（100、100’）的操作，并且為此至少可操作地連接到所述氣體供應單元的所述帶有閥的出口（156a-c、156a’-c’）上。