[發明專利]抗輻射加固存儲單元電路

有效

• 申請號: 201310397216.1
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN103474092A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 桑紅石;王文;張天序;梁巢兵;張靜;謝揚;袁雅婧
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: G11C11/4063
• 分類號: G11C11/4063
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 朱仁玲

1.一種抗輻射加固存儲單元電路，其特征在于，包括：基本存儲單元、冗余存儲單元和雙向反饋單元；其中，

基本存儲單元包括第一、第二PMOS管（501、502）和第三、第四PMOS管（503、504）；第一、第二PMOS管（501、502）為讀出訪問管，第一PMOS管（501）的源極連接讀操作選擇字線（516），柵極連接存儲節點（Q1），漏極連接第一讀出位線（517），第二PMOS管（502）的源極連接讀操作選擇字線（516），柵極連接反相存儲節點（Q1N），漏極連接第二讀出位線（518）；第三、第四PMOS管（503、504）為寫入訪問管，第三PMOS管（503）的源極連接存儲節點（Q1），柵極連接寫入選擇字線（513），漏極連接第一寫位線（514），第四PMOS管（504）的源極連接反相存儲節點（Q1N），柵極連接寫入選擇字線（513），漏極連接第二寫位線（515）；

冗余存儲單元包括第五、第六PMOS管（505、506）和第七、第八PMOS管（507、508）；第五、第六PMOS管（505、506）為讀出訪問管，第五PMOS管（505）的源極連接讀操作選擇字線（516），柵極連接冗余存儲節點（Q2），漏極連接第一讀出位線（517），第六PMOS管（506）的源極連接讀操作選擇字線（516），柵極連接反相冗余存儲節點（Q2N），漏極連接第二讀出位線（518）；第七、第八PMOS管（507、508）為寫入訪問管，第七PMOS管（507）的源極連接冗余存儲節點（Q2），柵極連接寫入選擇字線（513），漏極連接第一寫位線（514），第八PMOS管（508）的源極連接反相冗余存儲節點（Q2N），柵極連接寫入選擇字線（513），漏極連接第二寫位線（515）；

雙向反饋單元，用于構成存儲節點（Q1）與冗余存儲節點（Q2）間的反饋通路，還用于構成反相存儲節點（Q1N）與反相冗余存儲節點（Q2N）間的反饋通路。

2.如權利要求1所述的一種抗輻射加固存儲單元電路，其特征在于，所述雙向反饋單元包括第九、第十PMOS管（509、510）和第十一、第十二PMOS管（511、512）；第九PMOS管（509）的源極連接存儲節點（Q1），柵極連接冗余存儲節點（Q2），漏極連接低電平GND，第十PMOS管（510）的源極連接冗余存儲節點（Q2），柵極連接存儲節點（Q1），漏極連接低電平GND；第十一PMOS管（511）的源極連接反相存儲節點（Q1N），柵極連接反相冗余存儲節點（Q2N），漏極連接低電平GND，第十二PMOS管（512）的源極連接反相冗余存儲節點（Q2N），柵極連接反相存儲節點（Q1N），漏極連接低電平GND。