[發(fā)明專利]發(fā)光二極管裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310396386.8
• 申請(qǐng)日: 2013-09-03
• 公開（公告）號(hào): CN104425697A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王宏洲;陳紹尤;許閔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/62
• 分類號(hào): H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 張然;李昕巍

1.一種發(fā)光二極管裝置，包含:

一高導(dǎo)熱載體，包含一支撐件；

至少一發(fā)光二極管晶粒，設(shè)置于該高導(dǎo)熱載體上；

一光學(xué)透鏡，該支撐件將該光學(xué)透鏡撐立于該發(fā)光二極管晶粒上方，使一光學(xué)腔室形成于該發(fā)光二極管晶粒及該光學(xué)透鏡之間，該光學(xué)腔室內(nèi)填注有空氣。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中該高導(dǎo)熱載體還包含一高導(dǎo)熱基板，該支撐件及該高導(dǎo)熱基板為一體成型。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中該光學(xué)透鏡及該支撐件為一體成型。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，還包含一覆蓋層，該覆蓋層包覆該發(fā)光二極管晶粒。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管裝置，其中該覆蓋層的材質(zhì)為硅膠、環(huán)氧樹脂、硅膠與環(huán)氧樹脂混合物、高分子材料或玻璃。

6.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管裝置，還包含設(shè)置于該覆蓋層內(nèi)的光學(xué)擴(kuò)散粒子。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管裝置，其中各該光學(xué)擴(kuò)散粒子為二氧化硅粒子、氧化鋁粒子、氧化鈦粒子、氟化鈣粒子、碳酸鈣粒子或硫酸鋇粒子。

8.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管裝置，還包含設(shè)置于該覆蓋層內(nèi)的光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管裝置，其中各該光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換粒子為釔鋁石榴石熒光粉、硅酸鹽熒光粉、鋱鋁石榴石熒光粉、氧化物熒光粉、氮化物熒光粉或鋁氧化物熒光粉。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管裝置，其中該高導(dǎo)熱載體還包含一高導(dǎo)熱基板、一第一電極及一第二電極，該第一電極及該第二電極設(shè)置于該高導(dǎo)熱基板上，該發(fā)光二極管晶粒電連接于該第一電極及該第二電極。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管裝置，其中該高導(dǎo)熱載體還包含:

一絕緣層，設(shè)置于該高導(dǎo)熱基板上，該第一電極及該第二電極設(shè)置于該絕緣層上；以及

一防焊漆層，設(shè)置于該第一電極及該第二電極上，該支撐件設(shè)置于該防焊漆層上。

12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管裝置，還包含一膠材，設(shè)置于該支撐件及該防焊漆層之間，用以將該支撐件固定于該防焊漆層上。

13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極管裝置，其中該發(fā)光二極管晶粒為覆晶晶粒。

14.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管裝置，還包含至少一導(dǎo)線，該發(fā)光二極管晶粒通過(guò)該導(dǎo)線與該第一電極及該第二電極形成電性連接。

15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光二極管裝置，其中該高導(dǎo)熱基板包含一上表面、一相對(duì)于該上表面的下表面，以及貫穿該上表面及該下表面的多個(gè)穿孔部，該第一電極及該第二電極分別設(shè)置于該上表面、該下表面及該穿孔部。

16.如權(quán)利要求14或15所述的發(fā)光二極管裝置，其中該發(fā)光二極管晶粒為垂直電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管晶粒。

17.如權(quán)利要求14或15所述的發(fā)光二極管裝置，其中該發(fā)光二極管晶粒為同側(cè)電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管晶粒。

18.如權(quán)利要求17所述的發(fā)光二極管裝置，其中該高導(dǎo)熱載體還包含一晶粒粘著層，設(shè)置于該第一電極及該第二電極之間，該發(fā)光二極管晶粒設(shè)置于該晶粒粘著層，并通過(guò)該導(dǎo)線與該第一電極及該第二電極形成電性連接。

19.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管裝置，其中該晶粒粘著層使用銅、鋁、金、銀、鐵、鎳及其合金的其中之一所構(gòu)成。

20.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管裝置，其中該高導(dǎo)熱載體還包含多個(gè)連接件，分別設(shè)置于該晶粒粘著層與該第一電極及該晶粒粘著層與該第二電極之間，用以連接該晶粒粘著層、該第一電極及該第二電極。

21.如權(quán)利要求18所述的發(fā)光二極管裝置，其中該高導(dǎo)熱基板具有一凹部，該晶粒粘著層設(shè)置于該凹部，該發(fā)光二極管設(shè)置于該晶粒粘著層，并通過(guò)該導(dǎo)線與該第一電極及該第二電極形成電性連接。

22.如權(quán)利要求21所述的發(fā)光二極管裝置，其中該高導(dǎo)熱載體還包含一連接件，設(shè)置于該第一電極、該第二電極及該絕緣層之間，該連接件用以將該第一電極及該第二電極固定于該絕緣層上。