[發明專利]單片機及其片內上電復位電路

有效

• 申請號: 201310396342.5
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN103440027A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 譚遷寧;喬愛國
• 申請（專利權）人: 深圳市芯海科技有限公司
• 主分類號: G06F1/24
• 分類號: G06F1/24
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國;周鮮艷

技術領域

本發明涉及集成電路技術領域，尤其涉及一種單片機及其片內上電復位電路。

背景技術

在單片機應用中，上電復位電路用于在電源通電或斷電后再通電時，將數字系統中的計數器、寄存器等數字模塊復位或置位的功能，故要求上電復位電路具有高的可靠性，不能出現誤復位而導致單片機的數字系統不能正常工作的問題。

目前的單片機上電復位片內方案中，有檢測電源電壓上升沿或電源電壓值或既檢測上升沿又檢測電壓值的方案，這些方案對于在電源環境較惡劣的條件下，如電源存在較大干擾的條件下，經常有向上向下尖峰出現或電源出現快速上電或緩慢上電等情況，常產生誤復位信號，影響單片機及其數字系統的正常工作。

現有的上電復位方案中通常采用的是模擬集成電路方案，如外置上電復位電路，為了實現上電復位功能，通常采用由大電容、大電阻以及三極管構成外置上電復位電路，或者單獨的復位芯片，然而這增加了單片機的成本和功耗。

發明內容

本發明的主要目的是提出一種單片機及其片內上電復位電路，旨在提高單片機的工作穩定性和可靠性，降低單片機的設計成本和功耗。

為了達到上述目的，本發明提出一種單片機片內上電復位電路，該單片機片內上電復位電路包括電源輸入端、復位控制端、用于產生快上電復位信號的快上電復位模塊、用于產生慢上電復位信號的慢上電復位模塊、用于根據所述快上電復位信號和所述慢上電復位信號生成一復位控制信號的信號處理模塊，以及用于將所述復位控制信號進行延時處理以控制所述單片機延時復位的數字延時模塊；

所述快上電復位模塊的輸入端與所述電源輸入端連接，所述快上電復位模塊的輸出端與所述信號處理模塊的第一輸入端連接；所述慢上電復位模塊的輸入端與所述電源輸入端連接，所述慢上電復位模塊的輸出端與所述信號處理模塊的第二輸入端連接；所述信號處理模塊的輸出端經由所述數字延時模塊的輸出端與所述復位控制端連接。

優選地，所述快上電復位模塊包括延時單元、施密特觸發器、第一反相器和第二反相器；

所述延時單元的輸入端與所述電源輸入端連接，所述延時單元的輸出端與施密特觸發器的輸入端連接，所述施密特觸發器的輸出端與所述第一反相器的輸入端連接，所述第一反相器的輸入端與所述第二反相器的輸入端連接，所述第二反相器的輸出端與所述信號處理模塊的第一輸入端連接。

優選地，所述延時單元包括第一MOS管和一電容；

所述第一MOS管的源極與所述電源輸入端連接，所述第一MOS管的柵極接地，所述第一MOS管的漏極與所述電容的正極連接，且與所述施密特觸發器的輸入端連接，所述電容的負極接地。

優選地，所述施密特觸發器包括第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管；

所述第二MOS管的源極與所述電源輸入端連接，所述第二MOS管的柵極與所述第一MOS管的漏極連接，且分別與第三MOS管的柵極、所述第四MOS管的柵極和所述第五MOS管的柵極連接；所述第二MOS管的漏極與所述第三MOS管的源極連接，且與所述第六MOS管的漏極連接；所述第三MOS管的漏極與第四MOS管的漏極連接，且分別與所述第六MOS管的柵極、所述第七MOS管的柵極和所述第一反相器的輸入端連接；所述第四MOS管的源極與所述第五MOS管的漏極連接，且與所述第七MOS管的源極連接，所述第五MOS管的源極接地；

所述第八MOS管的源極與所述第六MOS管的源極連接，所述第八MOS管的柵極與所述信號處理模塊連接，所述第八MOS管的漏極接地；所述第九MOS管的漏極與所述第七MOS管的漏極連接，所述第九MOS管的柵極與所述信號處理模塊連接，所述第九MOS管的源極與所述電源輸入端連接。

優選地，所述慢上電復位模塊包括偏置電壓產生單元、第三反相器和第四反相器；

所述偏置電壓產生單元的輸入端與所述電源輸入端連接，所述偏置電壓產生單元的輸出端與所述第三反相器的輸入端連接，所述第三反相器的輸出端與所述第四反相器的輸入端連接，所述第四反相器的輸出端與所述信號處理模塊的第二輸入端連接。

優選地，所述偏置電壓產生單元包括一電阻和第十MOS管；

所述電阻的一端與所述電源輸入端連接，所述電阻的另一端與所述第十MOS管的漏極連接，且與所述第三反相器的輸入端連接；所述第十MOS管的柵極與所述第十MOS管的漏極連接，所述第十MOS管的源極接地。