[發(fā)明專利]單片機及其片內上電復位電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310396342.5
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN103440027A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 譚遷寧;喬愛國
• 申請（專利權）人: 深圳市芯海科技有限公司
• 主分類號: G06F1/24
• 分類號: G06F1/24
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國;周鮮艷

1.一種單片機片內上電復位電路，其特征在于，包括電源輸入端、復位控制端、用于產生快上電復位信號的快上電復位模塊、用于產生慢上電復位信號的慢上電復位模塊、用于根據(jù)所述快上電復位信號和所述慢上電復位信號生成一復位控制信號的信號處理模塊，以及用于將所述復位控制信號進行延時處理以控制所述單片機延時復位的數(shù)字延時模塊；

所述快上電復位模塊的輸入端與所述電源輸入端連接，所述快上電復位模塊的輸出端與所述信號處理模塊的第一輸入端連接；所述慢上電復位模塊的輸入端與所述電源輸入端連接，所述慢上電復位模塊的輸出端與所述信號處理模塊的第二輸入端連接；所述信號處理模塊的輸出端經由所述數(shù)字延時模塊的輸出端與所述復位控制端連接。

2.如權利要求1所述的單片機片內上電復位電路，其特征在于，所述快上電復位模塊包括延時單元、施密特觸發(fā)器、第一反相器和第二反相器；

所述延時單元的輸入端與所述電源輸入端連接，所述延時單元的輸出端與施密特觸發(fā)器的輸入端連接，所述施密特觸發(fā)器的輸出端與所述第一反相器的輸入端連接，所述第一反相器的輸入端與所述第二反相器的輸入端連接，所述第二反相器的輸出端與所述信號處理模塊的第一輸入端連接。

3.如權利要求2所述的單片機片內上電復位電路，其特征在于，所述延時單元包括第一MOS管和一電容；

所述第一MOS管的源極與所述電源輸入端連接，所述第一MOS管的柵極接地，所述第一MOS管的漏極與所述電容的正極連接，且與所述施密特觸發(fā)器的輸入端連接，所述電容的負極接地。

4.如權利要求3所述的單片機片內上電復位電路，其特征在于，所述施密特觸發(fā)器包括第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管和第九MOS管；

所述第二MOS管的源極與所述電源輸入端連接，所述第二MOS管的柵極與所述第一MOS管的漏極連接，且分別與第三MOS管的柵極、所述第四MOS管的柵極和所述第五MOS管的柵極連接；所述第二MOS管的漏極與所述第三MOS管的源極連接，且與所述第六MOS管的漏極連接；所述第三MOS管的漏極與第四MOS管的漏極連接，且分別與所述第六MOS管的柵極、所述第七MOS管的柵極和所述第一反相器的輸入端連接；所述第四MOS管的源極與所述第五MOS管的漏極連接，且與所述第七MOS管的源極連接，所述第五MOS管的源極接地；

所述第八MOS管的源極與所述第六MOS管的源極連接，所述第八MOS管的柵極與所述信號處理模塊連接，所述第八MOS管的漏極接地；所述第九MOS管的漏極與所述第七MOS管的漏極連接，所述第九MOS管的柵極與所述信號處理模塊連接，所述第九MOS管的源極與所述電源輸入端連接。

5.如權利要求4所述的單片機片內上電復位電路，其特征在于，所述慢上電復位模塊包括偏置電壓產生單元、第三反相器和第四反相器；

所述偏置電壓產生單元的輸入端與所述電源輸入端連接，所述偏置電壓產生單元的輸出端與所述第三反相器的輸入端連接，所述第三反相器的輸出端與所述第四反相器的輸入端連接，所述第四反相器的輸出端與所述信號處理模塊的第二輸入端連接。

6.如權利要求5所述的單片機片內上電復位電路，其特征在于，所述偏置電壓產生單元包括一電阻和第十MOS管；

所述電阻的一端與所述電源輸入端連接，所述電阻的另一端與所述第十MOS管的漏極連接，且與所述第三反相器的輸入端連接；所述第十MOS管的柵極與所述第十MOS管的漏極連接，所述第十MOS管的源極接地。