[發(fā)明專利]互連結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310395701.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104422987B | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鐘匯才;朱慧瓏;張鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號(hào): | G02B6/12 | 分類號(hào): | G02B6/12 |
| 代理公司: | 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345 | 代理人: | 陳紅 |
| 地址: | 100029 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互連結(jié)構(gòu) 芯片 光纖 高速數(shù)據(jù)傳輸 半導(dǎo)體器件 可編程器件 數(shù)據(jù)分配器 穿硅通孔 封裝設(shè)計(jì) 光發(fā)送器 光纖通路 互連介質(zhì) 金屬互連 上下表面 傳統(tǒng)的 電接觸 電連接 上表面 輸出端 下表面 互連 功耗 填充 延遲 帶寬 貫穿 替代 | ||
1.一種互連結(jié)構(gòu),包括:
芯片,具有上表面和下表面,具有光發(fā)射器電路,在光發(fā)射器電路前端具有可編程器件與光發(fā)射器電路的片選信號(hào)相連,從而能夠通過(guò)對(duì)可編程器件的編程來(lái)實(shí)現(xiàn)TSV光纖通路的通或者斷;
穿硅通孔(TSV),貫穿芯片的上下表面;
TSV光纖通路,由光纖填充在TSV中形成,作為芯片間的互連介質(zhì),至少與芯片一個(gè)表面中的半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)電接觸和/或電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu),其中,光纖為單束光纖、多束光纖或者光纜,包括高折射率的內(nèi)層以及低折射率的外層。
3.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu),其中,芯片中還具有光接收器電路。
4.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu),其中,光發(fā)射器電路包括光源和光調(diào)制器,光調(diào)制器將電信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣庑盘?hào)。
5.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu),其中,在光發(fā)射器電路與電信號(hào)的輸出端之間還增設(shè)有數(shù)據(jù)分配器,在實(shí)際應(yīng)用中根據(jù)地址信號(hào)的要求,將一路數(shù)據(jù)分配到指定的其它輸出通路上去。
6.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu),其中,可編程器件包括電容、熔絲、反熔絲、帶浮柵的MOS晶體管及其組合。
7.如權(quán)利要求5所述的互連結(jié)構(gòu),其中,數(shù)據(jù)分配器包括2路數(shù)據(jù)分配器、4路數(shù)據(jù)分配器、或8路數(shù)據(jù)分配器。
8.如權(quán)利要求1所述的互連結(jié)構(gòu),其中,多個(gè)芯片上下層疊。
9.如權(quán)利要求3所述的互連結(jié)構(gòu),其中,具有多個(gè)芯片,每個(gè)芯片中的光發(fā)射器電路通過(guò)TSV光纖通路與另一芯片中的光接收器電路相連。
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