[發明專利]一種具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管

有效

• 申請號: 201310395509.6
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN103606562B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發明（設計）人: 胡月;何進;毛曼卿;梅金河;杜彩霞;朱小安
• 申請（專利權）人: 北京大學深圳研究院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所44271
• 代理人: 孫菊梅

1.一種具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于，所述晶體管結構自下而上依次含有：

一襯底層；

一部分氧化層，其中左半部分為硅窗口，右半部分為埋氧層；

一硅膜層，硅膜層頂部左側為硅體包圍著的源區，右側為漏區，剩余部分則為漂移區，溝道由源區和漂移區之間的硅體提供，漂移區中覆蓋于二氧化硅之上，有一層摻雜濃度大于漂移區的N型硅埋層；

一器件頂層，器件頂層中，位于溝道上方是柵氧化層，漂移區上方為擴展氧化層，擴展氧化層厚度大于柵氧化層，柵氧化層被柵電極全部覆蓋，擴展氧化層靠近溝道的一部分才被場板覆蓋，形成梯步柵電極。

2.如權利要求1所述的具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述襯底層的摻雜類型為P型，摻雜濃度為4×10¹⁴cm^-3的硅材料。

3.如權利要求1所述的具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述硅窗口的摻雜類型和濃度與襯底層一致，所述埋氧層采用厚度小于或等于4μm的二氧化硅。

4.如權利要求1所述的具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述硅膜層所有區域都為硅材料，厚度小于或等于20μm。

5.如權利要求1所述的具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述溝道長為1-5μm。

6.如權利要求1所述的具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述源區和漏區長5μm，摻雜類型為N型，摻雜濃度為2×10¹⁹cm^-3，所述硅體摻雜類型為P型，摻雜濃度為1×10¹⁷cm^-3。

7.如權利要求1所述的具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述漂移區長度為90μm，摻雜類型為N型，摻雜濃度為4×10¹⁴cm^-3。

8.如權利要求1所述的具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述柵氧化層為厚度為20nm的二氧化硅，擴展氧化層采用厚50nm的二氧化硅，場板長為40μm。

9.如權利要求1所述的具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述晶體管結構中，襯底層、硅窗口、硅膜層均為硅材料。

10.如權利要求1所述的具有N型硅埋層的部分絕緣層上硅LDMOS晶體管，其特征在于：所述晶體管的如下任一參數均可調，

(1)、源區、漏區、溝道、漂移區長度可調；

(2)、源區、漏區、溝道、漂移區、硅埋層、硅窗口和襯底層的摻雜材料、摻雜濃度可調；

(3)、柵氧化層、擴展氧化層和埋氧層的材料、厚度可調；

(4)、漂移區上方的柵電極場板長度可調；

(5)、在總器件長一定時，其硅窗口和埋氧層的長度可調。