[發明專利]半導體裝置以及應變監視裝置

無效

• 申請號: 201310394835.5
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN104061848A
• 公開（公告）日: 2014-09-24
• 發明（設計）人: 安本恭章;梁瀨直子;尾原亮一;增子真吾;佐野賢也;垣內賴人;野田隆夫;飯田敦子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G01B7/16
• 分類號: G01B7/16
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

基板；

半導體基板，載置于上述基板，具有第1區域以及第2區域；

絕緣柵場效應晶體管，設置于上述半導體基板的上述第1區域；以及

應變儀部，具有長條的金屬電阻體、第1絕緣膜以及第2絕緣膜，上述金屬電阻體設置在上述半導體基板的上述第2區域中的上述半導體基板的上表面的內側，上述第1絕緣膜設置在上述半導體基板與上述金屬電阻體之間，延伸至上述半導體基板的上述上表面，上述第2絕緣膜跨過上述金屬電阻體而設置在上述第1絕緣膜上方。

2.如權利要求1記載的半導體裝置，其特征在于，

在上述半導體基板的上述第2區域設有第1應變儀部以及第2應變儀部，上述第1應變儀部以及上述第2應變儀部沿著正交的第1方向以及第2方向離開地配置。

3.如權利要求2記載的半導體裝置，其特征在于，

上述第1應變儀部的沿上述第1方向延伸的長度與上述第2應變儀部的沿上述第2方向延伸的長度實質上相等。

4.如權利要求3記載的半導體裝置，其特征在于，

上述半導體基板的上述第2區域是沿著上述第1方向以及上述第2方向而與上述半導體基板的上述第1區域鄰接的L字狀，上述第1應變儀部沿著上述L字的上述第1方向的邊而配置，上述第2應變儀部沿著上述L字的上述第2方向的邊而配置。

5.如權利要求1記載的半導體裝置，其特征在于，

上述第1區域比上述第2區域大。

6.如權利要求1記載的半導體裝置，其特征在于，

上述金屬電阻體的上表面低于上述半導體基板的上表面。

7.如權利要求1記載的半導體裝置，其特征在于，

在上述金屬電阻體與上述第2絕緣膜之間設有空腔。

8.如權利要求1記載的半導體裝置，其特征在于，

上述半導體基板是碳化硅半導體基板。

9.如權利要求1記載的半導體裝置，其特征在于，

上述基板具有銅基基板、設置在銅基基板上的絕緣層、以及設置在絕緣層上的電路圖案。

10.如權利要求1記載的半導體裝置，其特征在于，

上述半導體基板經由金屬接合劑載置于上述基板。

11.如權利要求10記載的半導體裝置，其特征在于，

上述金屬接合劑是焊料。

12.如權利要求1記載的半導體裝置，其特征在于，

具備安裝于上述基板的筒形的殼體、蓋住上述殼體的蓋體、以及填充在上述殼體內的樹脂。

13.一種應變監視裝置，其特征在于，具備：

應變測定裝置，與具有基板、半導體基板、絕緣柵場效應晶體管以及應變儀部的半導體裝置的上述應變儀部電連接，將上述半導體基板上產生的應變量變換為電信號，上述半導體基板載置于上述基板，具有第1區域以及第2區域，上述絕緣柵場效應晶體管設置于上述半導體基板的上述第1區域，上述應變儀部具有長條的金屬電阻體、第1絕緣膜以及第2絕緣膜，上述金屬電阻體設置在上述半導體基板的上述第2區域中的上述半導體基板的表面的內側，上述第1絕緣膜設置在上述半導體基板與上述金屬電阻體之間，延伸至上述半導體基板的上述表面，上述第2絕緣膜跨過上述金屬電阻體而設置在上述第1絕緣膜上方；以及

信號處理裝置，與上述應變測定裝置電連接，處理與上述應變量相應的上述電信號，根據上述應變量的隨時間的變化，對上述半導體裝置中的應變進行監視。

14.如權利要求13記載的應變監視裝置，其特征在于，

上述半導體裝置在上述半導體基板的上述第2區域中具有沿著正交的第1方向以及第2方向離開地配置的第1應變儀部以及第2應變儀部；

上述應變測定裝置具有：

第1應變測定裝置，與上述第1應變儀部電連接，將在上述半導體基板的第1方向上產生的第1應變量變換為第1電信號；以及

第2應變測定裝置，與上述第2應變儀部電連接，將在上述半導體基板的第2方向上產生的第2應變量變換為第2電信號。

15.權利要求14記載的應變監視裝置，其特征在于，

上述第1應變儀部的沿上述第1方向延伸的長度與上述第2應變儀部的沿上述第2方向延伸的長度實質上相等。