[發明專利]平面型肖特基二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201310394274.9
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN104425629B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 宋愛民;李斐
• 申請（專利權）人: 濟南嘉源電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329;H01L21/28
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所37218
• 代理人: 褚慶森

技術領域

本發明涉及一種平面型肖特基二極管及其制作方法，更具體的說，尤其涉及一種可應用于高頻場合的平面型肖特基二極管及其制作方法。

背景技術

肖特基二極管廣泛應用于高頻條件下的檢波、混頻和高速開關電路，也可用作高頻整流。肖特基二極管不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理制作的。肖特基二極管是以高功函數金屬（如金、銀、鋁、鉑等）為正極，以半導體為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件，如圖1所示，給出了現有肖特基二極管的結構示意圖，其為多層結構且陽極金屬的尺寸較大；如果將二極管應用于高頻場合，則要求陽極的電極非常小，采用如圖1所示的分層結構將難以實現；即使可以將尺寸符合要求的陽極電極制作出來，電極的引出也十分困難。由于傳統二極管采用了硅體材料半導體，使其不具有彎曲的性能。對于一些特殊場合，如以紙張或塑料薄膜為基底的條件下，現有的肖特基二極管的結構不再適用，因為其不能隨紙張或塑料薄膜的彎曲而變形，且不影響肖特基二極管的使用性能。

發明內容

本發明為了克服上述技術問題的缺點，提供了一種可應用于高頻場合的平面型肖特基二極管及其制作方法。

本發明的平面型肖特基二極管，包括由非導電材料構成的基底；其特別之處在于：所述基底的上表面為半導體薄膜，半導體薄膜的上表面上固定有左半第一金屬層和右半第一金屬層，左半第一金屬層、右半第一金屬層的上表面上分別固定有左半第二金屬層和右半第二金屬層；所述左半第二金屬層和右半第二金屬層中兩者之一與半導體薄膜相接觸；左半第一金屬層和左半第二金屬層與第一電極相連接，右半第一金屬層和左半第二金屬層與第二電極相連接。

本發明的平面型肖特基二極管，所述基底為紙張或塑料的柔性材質，半導體薄膜為N型半導體或P型半導體；半導體薄膜為N型半導體的情況下，左半第一金屬層和右半第一金屬層的功函數高于左半第二金屬層和右半第二金屬層的功函數；半導體薄膜為P型半導體的情況下，左半第一金屬層和右半第一金屬層的功函數低于左半第二金屬層和右半第二金屬層的功函數。

本發明的平面型肖特基二極管，所述N型半導體為ZnO或IGZO，P型半導體為SnO或CuO，所述功函數高的金屬為Pt、Pd或Au，功函數低的金屬為Al或Ti。IGZO的英文全稱為：Indium gallium zinc oxide，中文名稱為銦鎵鋅氧化物。

本發明的平面型肖特基二極管的制作方法，包括以下步驟：

a).清理基底，對由柔性材料構成的基底的表面進行清理，以便于附著半導體薄膜；b).生長或淀積半導體薄膜，采用生長或淀積方法，在基底的表面上形成一層可隨基底而彎曲的半導體薄膜；c).制備絕緣體塊，在半導體薄膜的上表面上制備絕緣體塊；d).制備第一金屬層，在絕緣體塊的左上方或右上方，以與半導體薄膜成銳角的方向，采用熱蒸發法制備形成第一金屬層；e).制備第二金屬層，在絕緣體塊的右上方或左上方，以與半導體薄膜成銳角的方向，采用熱蒸發法制備形成第二金屬層；f).溶解絕緣體塊，采用溶劑將絕緣體塊及其周圍的第一金屬層和第二金屬層部分去除，使得第一金屬層形成左半第一金屬層和右半第一金屬層，第二金屬層形成左半第二金屬層和右半第二金屬層；g).設置電極，設置與左半第一金屬層和左半第二金屬層相連接的第一電極，以及與右半第一金屬層和右半第二金屬層相連接的第二電極，形成可進行高頻整流并可隨基底進行彎曲的平面型肖特基二極管。

本發明的平面型肖特基二極管的制作方法，所述步驟c)中采用的絕緣體塊為二氧化硅、光刻膠或PMMA材料。PMMA為英文polymethylmethacrylate的簡寫，中文名為聚甲基丙烯酸甲酯。

本發明的有益效果是：本發明的平面型肖特基二極管，通過在基底上設置半導體薄膜，在半導體薄膜上設置左半第一金屬層和右半第一金屬層，在左半第一金屬層、右半第一金屬層上方設置左半第二金屬層、右半第二金屬層，且右半第二金屬層與半導體薄膜相接觸，便于制作與金屬層相連接的電極，形成了可在高頻條件下工作的的平面型肖特基二極管，可應用在以紙張、塑料為基底的場合，并可隨基底進行彎曲。本發明的平面型肖特基二極管的兩個電極無需做的特別小，且位于同一平面上，易在塑料、紙張上用印刷電子技術制作出來。

本發明的平面型肖特基二極管的制作方法，首先在絕緣體塊兩側采用熱蒸發法形成第一金屬層和第二金屬層，在把絕緣體塊及其周圍的金屬層溶解，有效地形成了可彎曲的平面型肖特基二極管。

附圖說明