[發明專利]平面型肖特基二極管及其制作方法

有效

• 申請號: 201310394274.9
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN104425629B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 宋愛民;李斐
• 申請（專利權）人: 濟南嘉源電子有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/40;H01L21/329;H01L21/28
• 代理公司: 濟南泉城專利商標事務所37218
• 代理人: 褚慶森

1.一種平面型肖特基二極管，包括由非導電材料構成的基底（1）；其特征在于：所述基底的上表面為半導體薄膜（2），半導體薄膜的上表面上固定有左半第一金屬層（7）和右半第一金屬層（8），左半第一金屬層、右半第一金屬層的上表面上分別固定有左半第二金屬層（9）和右半第二金屬層（10）；所述左半第二金屬層和右半第二金屬層中兩者之一與半導體薄膜相接觸；左半第一金屬層和左半第二金屬層與第一電極（5）相連接，右半第一金屬層和左半第二金屬層與第二電極（11）相連接；所述基底（1）為紙張或塑料的柔性材質。

2.根據權利要求1所述的平面型肖特基二極管，其特征在于：半導體薄膜為N型半導體或P型半導體；半導體薄膜為N型半導體的情況下，左半第一金屬層（7）和右半第一金屬層（8）的功函數高于左半第二金屬層（9）和右半第二金屬層（10）的功函數；半導體薄膜為P型半導體的情況下，左半第一金屬層和右半第一金屬層的功函數低于左半第二金屬層和右半第二金屬層的功函數。

3.根據權利要求2所述的平面型肖特基二極管，其特征在于：所述N型半導體為ZnO或IGZO，P型半導體為SnO或CuO，所述功函數高的金屬為Pt、Pd或Au，功函數低的金屬為Al或Ti。

4.一種用于制作權利要求1所述的平面型肖特基二極管的方法，其特征在于，包括以下步驟：

a).清理基底，對由柔性材料構成的基底（1）的表面進行清理，以便于附著半導體薄膜（2）；

b).生長半導體薄膜，采用生長方法，在基底的表面上形成一層可隨基底而彎曲的半導體薄膜（2）；

c).制備絕緣體塊，在半導體薄膜（2）的上表面上制備絕緣體塊（6）；

d).制備第一金屬層，在絕緣體塊的左上方或右上方，以與半導體薄膜成銳角的方向，采用熱蒸發法制備形成第一金屬層（3）；

e).制備第二金屬層，在絕緣體塊的右上方或左上方，以與半導體薄膜成銳角的方向，采用熱蒸發法制備形成第二金屬層（4）；

f).溶解絕緣體塊，采用溶劑將絕緣體塊及其周圍的第一金屬層和第二金屬層部分去除，使得第一金屬層形成左半第一金屬層（7）和右半第一金屬層（8），第二金屬層形成左半第二金屬層（9）和右半第二金屬層（10）；

g).設置電極，設置與左半第一金屬層和左半第二金屬層相連接的第一電極（5），以及與右半第一金屬層和右半第二金屬層相連接的第二電極（11），形成可進行高頻整流并可隨基底（1）進行彎曲的平面型肖特基二極管。

5.根據權利要求4所述的平面型肖特基二極管的方法，其特征在于：所述步驟c)中采用的絕緣體塊（6）為二氧化硅、光刻膠或PMMA材料。