[發明專利]一種半導體激光器的封裝方法

在審

• 申請號: 201310392919.5
• 申請日: 2013-09-02
• 公開（公告）號: CN104426054A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 李明
• 申請（專利權）人: 長貝光電（武漢）有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術領域

本發明涉及半導體激光器技術領域，具體涉及一種半導體激光器的封裝方法。

背景技術

半導體激光器具有體積小、重量輕、電光轉換效率高、性能穩定、可靠性高和壽命長等優點，可廣泛應用于通信、計算機、影視、制造業、航天航空、醫療等領域，已經成為光電行業最有前途的領域。對半導體激光器的性能參數進行測試和表征是理解掌握激光器特性的關鍵；同時也是判斷激光器好壞的重要依據。

對半導體激光器測試的性能參數重要包括LIV（功率-電流-電壓）、波長、光譜等，其中LIV測試是半導體激光器的基本測試項目。

目前用于半導體激光器LIV測試的儀器其基本原理都是采用雙通道源精密源測量單元、積分球探測器；LD的電流驅動源同時監測正向導通電壓降V和工作電流I，LD激發出來的光經積分球探測器轉化成光電流，從而通過系數換算得到實際對應的光功率。

通過對LD施加外驅動電流，測其正向電壓，會發現其正向電壓值Vf通常偏大。對LD?TO進行分析，下列原因會決定了Vf的數值：

a、LD芯片與熱沉之間存在電阻；

b、芯片電極與底座管腳之間的焊線產生的電阻；

c、芯片金屬電極P面、N面與芯片半導體材料歐姆接觸不良；

d、測試系統的線路的串聯電阻。

上述4種情況中，控制好生產和測試設備及工藝參數后，往往第三種情況是影響Vf的最主要因素。

發明內容

本發明的目的是提供一種半導體激光器的封裝方法，解決芯片上金屬電極P/N面與芯片半導體材料歐姆接觸不良的問題。

本發明解決上述技術問題的技術方案如下：一種半導體激光器的封裝方法，包括以下步驟，在半導體激光器的芯片的制作過程中，對半導體激光器的芯片進行一次擴散處理，然后將半導體激光器的芯片在溫度180℃至260℃下進行8至60小時的加熱處理，讓芯片內部結構進行二次充分擴散。

進一步，所述加熱處理的溫度為200℃，時間為8小時。

進一步，所述加熱處理是在所述芯片安裝完成后，即將半導體激光器的把條、芯片和同軸TO-Can半成品/成品作為一個整體來進行加熱處理。

本發明的有益效果是：本發明提供了一種半導體激光器的封裝方法，解決了芯片上金屬電極P/N面與芯片半導體材料歐姆接觸不良的問題，降低了發射激光器的正向電壓，使產品的報廢率、不良率減少，使產品有效利用率大幅提高，降低成本。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發明，并非用于限定本發明的范圍。

一種半導體激光器的封裝方法，包括以下步驟，在半導體激光器的芯片的制作過程中，對半導體激光器的芯片進行一次擴散處理，然后將芯片在溫度180℃至260℃下進行8至60小時的加熱處理，讓芯片內部結構進行二次充分擴散，改善芯片金屬電極P面、N面與芯片半導體材料歐姆接觸不良的問題。

優選的，所述加熱處理是在所述芯片安裝完成后，即將半導體激光器的把條、芯片和同軸TO-Can半成品/成品作為一個整體來進行加熱處理。所述加熱處理的溫度為200℃，時間為8小時。

對本發明一種半導體激光器的封裝方法進行實驗分析，實驗中對150只1550nm?FP?TO-Can不良成品進行加熱處理二次擴散實驗，在200℃溫度下烘烤8小時，產品的正向電壓值有95%恢復到正常值狀態；對其余不良品繼續做高溫烘烤實驗，其正向電壓值也都恢復到正常范圍。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，并不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護范圍之內。