[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體激光器的封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310392919.5 | 申請日： | 2013-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN104426054A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李明 | 申請（專利權(quán)）人： | 長貝光電（武漢）有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/042 | 分類號： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212 | 代理人： | 楊立 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體激光器 封裝 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半導(dǎo)體激光器的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟，在半導(dǎo)體激光器的芯片的制作過程中，對半導(dǎo)體激光器的芯片進(jìn)行一次擴(kuò)散處理，然后將半導(dǎo)體激光器的芯片在溫度180℃至260℃下進(jìn)行8至60小時的加熱處理，讓芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行二次充分?jǐn)U散。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體激光器的封裝方法，其特征在于，所述加熱處理的溫度為200℃，時間為8小時。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導(dǎo)體激光器的封裝方法，其特征在于，所述加熱處理是在所述芯片安裝完成后，即將半導(dǎo)體激光器的把條、芯片和同軸TO-Can半成品/成品作為一個整體來進(jìn)行加熱處理。
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