[發明專利]增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法有效

申請號：	201310391190.X	申請日：	2013-08-31
公開（公告）號：	CN103412032A	公開（公告）日：	2013-11-27
發明（設計）人：	游海龍;趙楊楊;賈新章;顧鎧;劉鵬	申請（專利權）人：	西安電子科技大學
主分類號：	G01N27/61	分類號：	G01N27/61;G01R31/26
代理公司：	陜西電子工業專利中心 61205	代理人：	田文英;王品華
地址：	710071***	國省代碼：	陜西;61
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摘要：
搜索關鍵詞：	增強功率 mos 器件引線脫落檢測方法
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【說明書】：

技術領域

本發明屬于微電子技術領域，更進一步涉及半導體器件檢測領域中增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法。本發明可以通過“兩線法”和“三線法”對增強型功率MOS器件閾值電壓的測量，判定該增強型功率MOS器件柵內引線是否脫落。

背景技術

目前，已有的增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法主要分為兩類：第一類是超聲波掃描的方法，用超聲波束照射待測器件表面，接收待測器件內部基準界面上的反射波形信號，以反射波波形信號為基礎，判斷待測器件內部界面的接合狀態；第二類是紅外熱成像檢測方法，主要手段是用熱像儀接收測定器件的溫度分布圖像，通過分析圖像判斷器件內部的缺陷。這兩種方法都有一定的不足，測量數據需要分析才能判斷器件內部缺陷，測量過程較為復雜，實用性較低。

北京理工大學擁有的專利技術“電子封裝內部分層缺陷的超聲顯微檢測方法”（專利號ZL201110309045.3，授權公告號CN102507738A）公開一種封裝器件內部缺陷檢測方法。該專利技術是將器件放入水槽中，用超聲波束垂直照射器件表面并接收反射回波，獲得器件內部的層級圖像，根據圖像判斷是否存在內部缺陷。該專利技術存在的不足是，借助超聲波技術，測量耗時間較長，不利于快速檢測。

北京工業大學申請的專利“一種用于紅外熱成像法檢測微電子封裝結構缺陷的裝置”（申請號ZL201110147793.6，公布號CN102338763A）公開一種用于紅外熱成像法檢測器件結構缺陷的裝置及方法。該專利申請是將熱像儀和測量器件固定在實驗平臺上，利用熱像儀采集器件溫度分布圖像，根據圖像判斷器件內部缺陷。該專利申請存在的不足之處是，環境溫度影響器件紅外成像，測量結果誤差較大；需要搭建實驗平臺裝置，耗時較長。

發明內容

本發明的目的在于克服上述現有技術的不足，提供一種增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法。本發明通過增強型功率MOS器件的電學測量，判定增強型功率MOS器件柵內引線是否脫落。

本發明的具體思路是：對外表面正常的增強型功率MOS器件，采用“兩線法”測量該增強型功率MOS器件的閾值電壓，判定待測增強型功率MOS器件內部是否存在其它損壞，若不存在其它損壞，采用“三線法”測量該增強型功率MOS器件的閾值電壓，如果“三線法”測出增強型功率MOS器件的閾值電壓，則該器件柵內引線正常，否則，該器件柵內引線脫落。

為實現上述目的，實現本發明的具體步驟如下：

（1）檢查器件外觀：

檢查待測增強型功率MOS器件的外觀，觀察該增強型功率MOS器件表面是否存在物理性損壞，去除表面存在物理性損壞的增強型功率MOS器件，獲得表面完好的增強型功率MOS器件。

（2）“兩線法”測量器件閾值電壓：

對表面完好的增強型功率MOS器件，采用“兩線法”，測量該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓。

（3）判定是否存在其它損壞：

如果“兩線法”未測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則判定該增強型功率MOS器件內部存在其它損壞，去除內部存在其它損壞的增強型功率MOS器件；如果“兩線法”測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則執行步驟（4）。

（4）“三線法”測量器件閾值電壓：

對“兩線法”測出閾值電壓的增強型功率MOS器件，采用“三線法”，測量該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓。

（5）判定柵內引線是否脫落：

如果“三線法”測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則判定該待測增強型功率MOS器件柵內引線正常；如果“三線法”未測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則判定該待測增強型功率MOS器件柵內引線脫落。

本發明與現有技術相比具有如下優點：