[發明專利]增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法

有效

• 申請號: 201310391190.X
• 申請日: 2013-08-31
• 公開（公告）號: CN103412032A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 游海龍;趙楊楊;賈新章;顧鎧;劉鵬
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: G01N27/61
• 分類號: G01N27/61;G01R31/26
• 代理公司: 陜西電子工業專利中心 61205
• 代理人: 田文英;王品華

1.一種增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法，包括以下步驟：

（1）檢查器件外觀：

檢查待測增強型功率MOS器件的外觀，觀察該增強型功率MOS器件表面是否存在物理性損壞，去除表面存在物理性損壞的增強型功率MOS器件，獲得表面完好的增強型功率MOS器件；

（2）“兩線法”測量器件閾值電壓：

對表面完好的增強型功率MOS器件，采用“兩線法”，測量該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓；

（3）判定是否存在其它損壞：

如果“兩線法”未測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則判定該增強型功率MOS器件內部存在其它損壞，去除內部存在其它損壞的增強型功率MOS器件；如果“兩線法”測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則執行步驟（4）；

（4）“三線法”測量器件閾值電壓：

對“兩線法”測出閾值電壓的增強型功率MOS器件，采用“三線法”，測量該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓；

（5）判定柵內引線是否脫落：

如果“三線法”測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則判定該待測增強型功率MOS器件柵內引線正常；如果“三線法”未測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓，則判定該待測增強型功率MOS器件柵內引線脫落。

2.根據權利要求1所述的增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法，其特征在于，步驟（2）中所述的“兩線法”是指，將待測增強型功率MOS器件的源極接地，柵極和漏極接電源，將源漏電流的絕對值達到250uA時測得的電源電壓，作為該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓。

3.根據權利要求1所述的增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法，其特征在于，步驟（3）中所述的“兩線法”未測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓是指，在該增強型功率MOS器件允許的柵極電壓范圍內，采用“兩線法”測量該器件的閾值電壓時，源漏電流的絕對值始終小于250uA。

4.根據權利要求1所述的增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法，其特征在于，步驟（4）中所述的“三線法”是指，將待測增強型功率MOS器件源極接地，漏極固定10mV電壓，柵極接電源，將源漏電流的絕對值達到250uA時測得的電源電壓，作為該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓。

5.根據權利要求1所述的增強型功率MOS器件柵內引線脫落的檢測方法，其特征在于，步驟（5）中所述的“三線法”未測出該待測增強型功率MOS器件的閾值電壓是指，在該增強型功率MOS器件允許的柵極電壓范圍內，采用“三線法”測量該器件的閾值電壓時，源漏電流的絕對值始終小于250uA。