[發明專利]層排列的制造方法以及層排列

在審

• 申請號: 201310390868.2
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103681286A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 戈帕拉克里施南·特里奇·倫加拉詹;克里斯蒂安·法什曼
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48;B82Y40/00;B82Y10/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術領域

各種實施方式大體上涉及層排列的制造方法，并且涉及層排列。

背景技術

例如，諸如集成電路（IC）器件或芯片的現代半導體器件通常可以具有層排列，該層排列包括一個以上絕緣層、半導電層和/或導電層。在許多情況下，這樣的層排列的形成可以包括將一個層沉積在另一層上。例如，可以通過在下層上沉積諸如金屬或金屬合金的導電材料來形成導電層。在層沉積的背景下，希望提高在沉積層和下層之間例如沉積金屬和下半導體層（例如，硅層）之間的粘合度。

在金屬沉積的背景下，增強金屬和諸如硅的半導體之間粘合度的常規方法可以包括粗糙化和等離子體清洗硅表面。然而，控制表面粗糙度是困難的，并且導致的沉積金屬的粘合度對于一些情況可能是不足的。

發明內容

根據各種實施方式的層排列的制造方法可以包括：提供具有面的第一層；在第一層中形成朝向第一層的面開口的一個以上納米孔；在形成納米孔之后在第一層的面上沉積第二層。

附圖說明

在附圖中，相似參考字符一般貫穿不同視圖指代相同部件。附圖不必需按比例繪制，代替地重點一般置于圖解各種實施方式的原理上。在以下描述中，各種實施方式參考以下附圖描述，其中：

圖1示出根據各種實施方式的層排列制造方法；

圖2示出根據各種實施方式的層排列制造方法；

圖3示出根據各種實施方式的層排列制造方法；

圖4A到4F示出說明根據各種實施方式的層排列制造方法的剖面圖；

圖5A到5D示說明根據各種實施方式的層排列制造方法的剖面圖；

圖6示出用于圖解各種實施方式的方面的掃描電子顯微鏡圖像；

圖7示出用于說明一個或多個實施方式的方面的圖示；

圖8示出用于說明一個或多個實施方式的方面的圖示；

圖9A到9D示出說明說明一個或多個實施方式的方面的圖示的剖面圖。

具體實施方式

以下詳細描述涉及附圖，該附圖經由圖解示出可以實踐本發明的具體細節和實施方式。這些實施方式在充足詳情中描述從而使得本領域技術人員能夠實踐本發明。可以利用其他實施方式，并且在不背離本發明的保護范圍的情況下發生可以進行結構的、邏輯的和電氣的改變。由于一些實施方式可以與一個或更多其他實施方式組合從而形成新的實施方式，因此各種實施方式不必排它。

本披露的各種方面為方法提供，并且本披露的各種方面為器件或制造提供。理解方法的基本性質也適用于器件或制造，并且反之亦然。因為簡潔，這樣性質的重復描述可以省略。

如在此使用的術語“至少一個”或“一個以上”可以理解成包括大于或等于一的任何整數數目。

如在此使用的術語“多個”可以理解成包括大于或等于二的任何整數數目。

如在此使用的術語“耦合”或“連接”可以理解成分別包括直接“耦合”或直接“連接”，以及間接“耦合”或間接“連接”。

如在此使用的術語“在上形成”、“在上沉積”、“在上設置”、“在上定位”、“在上布置”可以理解成旨在包括第一元件或層可以在其與第二元件或層之間沒有進一步的元件或層的情況下，在第二元件或層上直接形成、沉積、設置、定位或布置的排列，以及第一元件或層可以在第一元件或層與第二元件或層之間的一個或更多的另外層或元件的情況下，在第二元件或層上形成、沉積、設置、定位或布置的排列。

如在此使用的術語“納米孔”或“納米孔隙”和“納米空腔”可以理解成分別包括在至少一個空間方向上在納米范圍內具有廣度，可替換地在至少兩個空間方向上在納米范圍內具有廣度，可替換地在所有空間方向上在納米范圍內具有廣度的孔洞、孔隙或腔室。

如在此使用的術語“納米多孔層”或“納米多孔材料”可以理解成包括具有一個以上納米孔隙或納米孔，例如多個（例如，數十個、數百個或數千個，甚至更多）納米孔隙或納米孔的層或材料。納米多孔層的一個或更多納米孔隙或納米孔可以例如從該層的第一側面通向該層的第二（例如，相反）側面。例如，納米多孔層的一個以上納米孔隙或納米孔可以在該納米多孔層中形成一個以上通道，例如將該納米多孔層的第一側面與第二側面連接。

各種實施方式提供了層排列的制造方法和層排列，其中沉積層（例如，金屬層或金屬合金層，可替換地包括其他材料或由其他材料構成的層）與下層（例如，半導體層，例如，硅層，可替換地包括其他材料或由其他材料構成的層）的粘合度可以借助于沉積層的材料（例如，金屬或金屬合金）和下層的材料（例如，硅）的物理聯鎖來改善。